[发明专利]一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：

选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质；

在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；

在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记；

将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面；

定位氧化锌纳米线；

制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质的步骤，具体包括：

选择P型Si作为衬底，采用PECVD方法在P型Si衬底的正面沉积生长SiO₂，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的栅氧介质。

3.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述的在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极的步骤，具体包括：

在衬底的背面蒸发金属，完成背栅电极的制作。

4.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记的步骤，具体包括：

在衬底正面沉积的栅氧介质上依次进行光刻定位标记图形、蒸发金属、金属剥离，形成规则的周期性排列十字型定位标记，为后续的纳米线定位工艺提供十字型定位标记。

5.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面的步骤，具体包括：

将氧化锌纳米线材料浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使氧化锌纳米线从生长衬底表面脱落，悬浮于异丙酮溶液；然后将含有氧化锌纳米线的异丙酮溶液滴于已完成定位标记制作的衬底的正面，完成氧化锌纳米线的转移和淀积。

6.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述定位氧化锌纳米线的步骤，具体包括：

在高倍显微镜下，观察氧化锌纳米线，利用制作的十字型定位标记，实现氧化锌纳米线的定位，为后续光刻工艺提供氧化锌纳米线的准确位置。

7.根据权利要求1所述的制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的步骤，具体包括：

在衬底的正面依次进行光刻源漏电极图形、蒸发金属和金属剥离，并将氧化锌纳米线与源漏电极相连，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。