[发明专利]一种生长p型AlGaN的方法无效
| 申请号： | 200810224573.7 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728250A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张国义;桑立雯;秦志新;张延召;杨志坚;于彤军;方浩 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L31/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 algan 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：生长温度控制在1050～1200℃。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝、和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：三甲基铟和其他原料一起同时通入反应室。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：三甲基铟的流量控制在20～300sccm。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：三甲基铟的流量为40～150sccm。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于：生长过程中压力控制在20～200torr。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于：生长时V/III控制在40～2000范围内。
9.如权利要求3所述的方法，其特征在于：二茂镁的流量控制在200～700sccm。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：二茂镁的流量为350～600sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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