[发明专利]正多边形微腔双稳半导体激光器

权利要求书

1.一种正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征在于，该半导体激 光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且 该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合；

其中，该谐振腔为边长为10μm的正三角形，输出波导的一端与三角 形顶点相连接或耦合，在输出波导的另一端得到光输出，输出波导与谐振 腔材料相同并同时刻蚀成形；

该半导体激光器通过输出波导宽度的选择，使得对称和反对称模式具 有相同的阈值增益和不同的输出效率，从而实现双稳输出。

2.根据权利要求1所述的正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征 在于，该平板波导由下限制层、有源区和上限制层构成，在该平板波导上 刻蚀形成该半导体激光器时，正多边形和波导的外部区域被刻蚀到下限制 层或衬底，而未刻蚀的多边形和输出波导分别作为谐振腔和定向输出路 径，在输出波导的另一端得到光输出。

3.根据权利要求2所述的正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征 在于，所述刻蚀采用干法刻蚀或湿法化学腐蚀方式进行。

4.根据权利要求2所述的正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征 在于，有源区采用III-V族体材料、量子阱或量子点材料，限制层采用相应 的半导体限制材料。