[发明专利]一种制作微透镜阵列的方法有效
| 申请号： | 200810222332.9 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101676798A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 董立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/42;G02B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 透镜 阵列 方法 | ||
1.一种制作微透镜阵列的方法，其特征在于，该方法包括：
在透明衬底上匀一层光刻胶；
对该该光刻胶层进行曝光显影，形成方形的光刻胶块；
熔融该方形光刻胶块并迅速冷却至室温，形成具有微透镜形状的光刻胶掩膜；
从透明衬底具有微透镜形状光刻胶掩膜的一面进行离子注入，在透明衬底中形成具有不同折射率的两层材料，其中一层材料具有微透镜形状；
去除透明衬底上的光刻胶掩膜，形成具有不同折射率两种材料并且具有微透镜的阵列结构。
2.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述透明衬底为玻璃。
3.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述在透明衬底上匀一层光刻胶的步骤中，选取az p4620光刻胶，光刻胶匀胶速度为2000rpm。
4.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述对该光刻胶层进行曝光显影的步骤中，前烘温度/时间为100℃/60秒，曝光光源选用紫外光，后烘温度/时间为120℃/60秒，其中温度为热板温度。
5.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述熔融该方形光刻胶块并迅速冷却至室温，具体工艺条件为：
在230℃烘44小时，然后移到冷板上10分钟，冷却至室温。
6.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述从透明衬底具有微透镜形状光刻胶掩膜的一面进行离子注入，具体工艺条件为：
注入杂质选取氢元素，注入能量为200kev。
7.根据权利要求1所述的制作微透镜阵列的方法，其特征在于，所述去除透明衬底上的光刻胶掩膜采用干法去胶方式。
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