[发明专利]发光二极管金电极的制备方法有效
| 申请号： | 200810219454.2 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101420009A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈国聪;王孟源;黄少华;雷秀铮 | 申请（专利权）人： | 普光科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 林丽明;曾志洪 |
| 地址： | 510530广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 电极 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管金电极的制备方法，其特征在于该方法是先依次蒸镀具有欧姆接触的金属层和一层薄金层，然后采用化学还原镀金法在蒸镀的薄金层表面上析出所需厚度的金层，即完成了发光二极管金电极的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述蒸镀薄金层的厚度为300～600埃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述化学还原镀金法析出的金层厚度为7000～15000埃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于该制备方法具体包括如下步骤：
(1)在芯片P型层上蒸镀透明导电层；用光刻胶定位出P、N型层电极的图形；
(2)在透明导电层、N型层上先蒸镀具有欧姆接触的金属层；再在该金属层上蒸镀一层薄金层；蒸镀完成后金属剥离并清洁晶片；
(3)采用化学还原镀金方法在蒸镀的薄金层表面上析出所需厚度的金；
(4)清洁晶片后对制得金电极的晶片进行热处理即完成发光二极管金电极的制备。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中的化学还原镀金法为亚硫酸盐镀金、卤化物镀金或硫代硫酸盐镀金。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中化学还原镀金在温度为45～65℃，PH值为7～8的条件下进行。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中对晶片进行热处理的方法为：在氮气流量5～30sccm，温度200～350℃的条件下，对制得金电极的晶片进行热处理，热处理的时间为5～20min。
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