[发明专利]低压阳极腐蚀箔Clˉ的清洗方法

权利要求书

1.一种低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：该方法采用电渗析方法，利用合适的电极板、电源输出形式、导电液体的工艺控制达到清洗高比容铝箔Cl^-的效果。

2.根据权利要求1所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的电渗析方法对腐蚀箔进行清洗，是利用电场的作用对Cl^-产生牵引力和其它综合作用而使Cl^-脱离铝箔表面；另外电场也可以使其它离子进攻箔面以取代箔面Cl^-的位置，使Cl^-更好地脱离箔面，最终达到清洗箔面的效果。

3.根据权利要求1所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：电渗析方法的电极板、电源输出形式及电导液体等参数采用多样参数：多样电极板，多样加电的方式，宽的电压范围，多样电流方式，宽的温度范围，多样清洗溶液，宽的电导率范围，以及其它优良工艺：在此装置中装上离子交换膜，利于Cl^-分离；加入搅拌装置更有利于Cl^-脱离箔面；加入超声波清洗装置等。

4.根据权利要求3所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的电极板要用石墨板或涂氧化物的钛板等材料。

5.根据权利要求3所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的电源输出形式采用直流方波，周期变化可调，空置时间保证在1秒钟以上。

6.根据权利要求3所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的导电液体使用不影响铝箔性能及不产生铝化合结晶物的硫酸铝、硝酸铝或有机硫酸盐、有机硝酸盐等溶质，其导电率控制在0.2～2.5ms·cm。

7.根据权利要求3所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的导电液体的温度在10～40℃之间。

8.根据权利要求3所述的低压阳极腐蚀箔Cl^-的清洗方法，其特征在于：所述的电压有效值为70～110V。