[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明系一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方法，其系特别关于 一种于光间隔物层中增加导电体的一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造 方法。

【现有技术】

每一代面板厂的皆须对上玻璃基板或下玻璃基板进行经济切割，但由于 在进行切割时，切割道与显示区高度落差过大容易产生的Mura问题、ESD防 护的问题等等。对此，部分的面板厂对此采用的增加PS来因应。先前技术中 的PS系用来确认，上玻璃基板或下玻璃基板间的高度之用。

另外关于ESD防护的问题，另一种先前技术系于框胶中增加金球，以此 方式增加上玻璃基板与下玻璃基板间之导电接点，藉此增加ESD防护的效果。

为此，本发明提出一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方法，能增 加ESD防护且能避免切割道与显示区高度落差过大的问题。

【发明内容】

本发明之主要目的在提供一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方 法，其系能应用于上玻璃基板与下玻璃基板进行切割制程，使切割道形成接 地环(ground ring)，达成ESD防护的效果。

本发明之另一目的在提供一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方 法，其系于每一个pixel中形成一个导电接点，能有效降低显示区的负载 (loading)，进而改善画面的显示质量。

本发明之另一目的在提供一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方 法，其系在不改变现有框胶材料下，即可有效降低上玻璃基板与下玻璃基板 的负载。

本发明系提供一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方法，本发明之 制造方法系于基板上形成光间隔物层，并于光间隔物层上设置复数导电体， 再对光间隔物层进行曝光显影及固化制程，使得光间隔物层内包含该导电体。 导电体的高度略大于光间隔物层的高度成导电体会因组装时挤压破裂，使得 上玻璃基板的共通电极(Vcom)与下玻璃基板的画素电极共接，使得上玻璃基 板及下玻璃基板电性连接。此种制造方法能适用于上玻璃基板或下玻璃基板， 本发明于光间隔物层中增加导电体，能应用于上玻璃基板与下玻璃基板进行 切割制程，使切割道形成接地环，达成ESD防护的效果。对于pixel而言， 于每一个pixel中形成一个导电接点，能有效降低显示区的负载，进而改善 画面的显示质量。

本发明之薄膜电晶体液晶显示器结构包括一上玻璃基板，于该上玻璃基 板下方，由上至下依序设有一上导电薄膜、一光间隔物层及一上配向膜，且 该光间隔物层内系有复数导电体；一下玻璃基板，于该下玻璃基板上方，由 下至上依序设有一扫描线、一绝缘层、一介电层、一下导电薄膜及一下配向 膜，且该下导电薄膜分别与该扫描线、该绝缘层、该介电层、及该下配向膜 接触；一液晶层，位于该上配向膜及该下配向膜之间；以及将该上玻璃基板 及该下玻璃基板进行组装制程后，利用该等导电体将该上玻璃基板及该下玻 璃基板电性连接。由于该导电体会因组装时挤压破裂，使得上玻璃基板的共 通电极与下玻璃基板的画素电极共接，造成该上玻璃基板及该下玻璃基板电 性连接。

本发明之另一种薄膜电晶体液晶显示器结构包括一上玻璃基板，于该上 玻璃基板下方，由上至下依序设有一上导电薄膜及一上配向膜；一下玻璃基 板，于该上玻璃基板上方，由下至上依序设有一扫描线、一绝缘层、一介电 层、一下导电薄膜、一光间隔物层及一下配向膜，其中该光间隔物层内系有 复数导电体，且该下导电薄膜分别与该扫描线、该绝缘层、该介电层、及该 下配向膜接触；一液晶层，位于该上配向膜及该下配向膜之间；以及将该上 玻璃基板及该下玻璃基板进行组装制程后，利用该等导电体将该上玻璃基板 及该下玻璃基板电性连接。由于该导电体会因组装时挤压破裂，使得上玻璃 基板的共通电极与下玻璃基板的画素电极共接，造成该上玻璃基板及该下玻 璃基板电性连接。

本发明提出一种薄膜电晶体液晶显示器结构及其制造方法，能增加ESD 防护且能避免切割道与显示区高度落差过大的问题。

【附图说明】

图1系本发明的实施步骤流程图。

图2系本发明的一实施例的实施架构示意图。

图3系本发明的另一实施例的实施架构示意图。

图4系薄膜晶体管液晶显示器结构的部份电路布局图。

图5系关于pixel之电路桥接点的部份电路布局图。

图6系本发明的应用于玻璃基板切割时的示意图。