[发明专利]镁基复合材料的制备方法有效
| 申请号: | 200810216307.X | 申请日: | 2008-09-19 | 
| 公开(公告)号: | CN101676421A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 | 
| 发明(设计)人: | 陈锦修;陈正士;钟国荣;杜青春;李文珍 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 
| 主分类号: | C22C1/10 | 分类号: | C22C1/10;C22C23/00 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种镁基复合材料的制备方法,其包括以下步骤:
提供一镁基材料熔体;
提供多个纳米级增强体,在保护气体环境下,将所述纳米级增强体通过气体携带的方式加入所述镁基材料熔体中与所述镁基材料熔体混合;
采用超声波处理所述镁基材料与纳米级增强体的混合物;以及
通入一惰性气体使所述镁基材料熔体与纳米级增强体的混合物雾化成液滴,并喷射成形得到镁基复合材料。
2.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述镁基材料熔体的材料为纯镁或镁合金。
3.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述纳米级增强体的材料为碳纳米管、碳化硅、氧化铝及碳化钛中的一种或几种,该纳米级增强体的粒径为1-100纳米,该纳米级增强体在所述镁基复合材料中的质量百分比含量为0.01-10%。
4.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述混合镁基材料熔体与纳米级增强体的方法包括以下步骤:机械搅拌该镁基材料熔体与纳米级增强体的混合物。
5.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述超声波处理上述镁基材料与纳米级增强体的混合物的方法包括在保护气体环境下,超声波震荡处理该镁基材料与纳米级增强体的混合物1-10分钟的步骤。
6.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述喷射成形的方法包括在一定压强下,采用惰性气体将所述的镁基材料熔体与纳米级增强体的混合物高速喷射至一基板上的步骤。
7.如权利要求6所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气、氮气、氩气与氮气的混合气体或二氧化硫与氮气的混合气体。
8.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述镁基复合材料的制备方法还进一步包括以下步骤:熔化所述镁基复合材料;以及喷射成形该熔化后的镁基复合材料。
9.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,进一步包括将所述镁基复合材料进行压延处理,得到预定厚度的镁板片材。
10.一种镁基复合材料的制备方法,其包括以下步骤:
在保护气体环境下,将一镁基材料置于一熔炉中并熔化;
利用一气体携带装置将多个纳米级增强体加入所述熔炉中,同时采用一搅拌器混合所述镁基材料与纳米级增强体;
采用至少一个超声波装置处理所述镁基材料与纳米级增强体的混合物;以及,提供一喷射成形装置,并通过所述喷射成形装置通入一惰性气体使所述镁基材料与纳米级增强体的混合物雾化成液滴,喷射成形所述镁基材料与纳米级增强体的混合物,得到镁基复合材料。
11.如权利要求10所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述喷射成形装置至少包括一漏斗、一连接管、一进气管、一喷嘴及一雾化室,所述连接管连接所述漏斗与雾化室,所述进气管与所述连接管连接,所述喷嘴位于所述连接管靠近雾化室的一端,所述雾化室内设置有至少一收集板,该收集板与所述喷嘴相对设置。
12.如权利要求11所述的镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述采用喷射成形装置喷射成形所述镁基材料与纳米级增强体的混合物的方法包括以下步骤:将所述镁基材料与纳米级增强体的混合物注入到喷射成形装置的漏斗中;保持所述镁基材料与纳米级增强体的混合物温度在680-730℃;以及在0.5-0.9兆帕的压强下,将惰性气体通过进气管通入连接管,并将所述镁基材料与纳米级增强体的混合物在连接管内雾化成细小液滴,同时通过喷嘴将所述细小液滴高速喷射至雾化室内的收集板上。
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