[发明专利]可降低耗电量的轨对轨运算放大器无效

专利信息
申请号: 200810215082.6 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101674057A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 林家弘;林直庆;林永正;张淙豪 申请(专利权)人: 联咏科技股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03K5/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 降低 耗电量 运算放大器
【权利要求书】:

1.一种降低耗电量的轨对轨运算放大器,包含有:

放大级电路,包含有第一补偿输出端、第二补偿输出端、第一电流输出 端及第二电流输出端,用来根据该轨对轨运算放大器的输入信号,产生放大 信号,

输出级电路,耦接于该放大级电路的该第一电流输出端及该第二电流输 出端,包含有输出端,用来输出该放大信号;

补偿电路,耦接于该放大级电路及该输出级电路,包含有:

第一电压产生器,用来产生第一电压,该第一电压等于该放大级电路 的该第一补偿输出端的稳态电压;

第二电压产生器,用来产生第二电压,该第二电压等于该放大级电路 的该第二补偿输出端的稳态电压;

第一补偿电容,包含有第一端及一第二端,其中该第一补偿电容的该 第二端耦接于该输出级电路的该输出端;

第二补偿电容,包含有第一端及一第二端,其中该第二补偿电容的该 第二端耦接于该输出级电路的该输出端;

第一开关,耦接于该放大级电路的该第一补偿输出端及该第一补偿电 容的该第一端之间,用来根据第一控制信号,控制该第一补偿输出端及该第 一补偿电容的该第一端之间的信号连结;

第二开关,耦接于该第一电压产生器及该第一补偿电容的该第一端之 间,用来根据第二控制信号,控制该第一电压产生器及该第一补偿电容的该 第一端之间的信号连结;

第三开关,耦接于该放大级电路的该第二补偿输出端及该第二补偿电 容的该第一端之间,用来根据第三控制信号,控制该第二补偿输出端及该第 二补偿电容的该第一端之间的信号连结;以及

第四开关,耦接于该第二电压产生器及该第二补偿电容的该第一端之 间,用来根据第四控制信号,控制该第二电压产生器及该第二补偿电容的该 第一端之间的信号连结。

2.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该输入信号由低电位 转换至高电位及由高电位转换至低电位时,该第一开关及该第三开关关闭,

且该第二开关及该第四开关导通,以及该输入信号于稳态时,该第一开关及 该第三开关导通,且该第二开关及该第四开关关闭。

3.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该输入信号由低电位 转换至高电位时,该第一开关及该第四开关导通,且该第二开关及该第三开 关关闭;该输入信号由高电位转换至低电位时,该第一开关及该第四开关关 闭,且该第二开关及该第三开关导通;以及该输入信号于稳态时,该第一开 关及该第三开关导通,且该第二开关及该第四开关关闭。

4.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器包 含有第一P型金属氧化物半导体晶体管,该第一P型金属氧化物半导体晶体 管包含有源极耦接于电源端,栅极耦接于该第二开关,及漏极耦接于该第二 开关,且该栅极及该漏极的电压为该第一电压。

5.根据权利要求4所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器还 包含有第二P型金属氧化物半导体晶体管,该第二P型金属氧化物半导体晶 体管包含有源极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极及该漏 极,漏极耦接于地端,以及栅极耦接于该放大级电路。

6.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器包 含有第一N型金属氧化物半导体晶体管,该第一N型金属氧化物半导体晶体 管包含有源极耦接于地端,栅极耦接于该第四开关,及漏极耦接于该第四开 关,且该栅极及该漏极的电压为该第二电压。

7.根据权利要求6所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器还 包含有第二N型金属氧化物半导体晶体管,该第二N型金属氧化物半导体晶 体管包含有源极耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极及该漏 极,漏极耦接于电源端,以及栅极耦接于该放大级电路。

8.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器是 单位增益运算放大器,该单位增益运算放大器的输入电压等于该第一电压。

9.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器是 单位增益运算放大器,该单位增益运算放大器的输入电压等于该第二电压。

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