[发明专利]可降低耗电量的轨对轨运算放大器无效
| 申请号: | 200810215082.6 | 申请日: | 2008-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN101674057A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
| 发明(设计)人: | 林家弘;林直庆;林永正;张淙豪 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03K5/24 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 降低 耗电量 运算放大器 | ||
1.一种降低耗电量的轨对轨运算放大器,包含有:
放大级电路,包含有第一补偿输出端、第二补偿输出端、第一电流输出 端及第二电流输出端,用来根据该轨对轨运算放大器的输入信号,产生放大 信号,
输出级电路,耦接于该放大级电路的该第一电流输出端及该第二电流输 出端,包含有输出端,用来输出该放大信号;
补偿电路,耦接于该放大级电路及该输出级电路,包含有:
第一电压产生器,用来产生第一电压,该第一电压等于该放大级电路 的该第一补偿输出端的稳态电压;
第二电压产生器,用来产生第二电压,该第二电压等于该放大级电路 的该第二补偿输出端的稳态电压;
第一补偿电容,包含有第一端及一第二端,其中该第一补偿电容的该 第二端耦接于该输出级电路的该输出端;
第二补偿电容,包含有第一端及一第二端,其中该第二补偿电容的该 第二端耦接于该输出级电路的该输出端;
第一开关,耦接于该放大级电路的该第一补偿输出端及该第一补偿电 容的该第一端之间,用来根据第一控制信号,控制该第一补偿输出端及该第 一补偿电容的该第一端之间的信号连结;
第二开关,耦接于该第一电压产生器及该第一补偿电容的该第一端之 间,用来根据第二控制信号,控制该第一电压产生器及该第一补偿电容的该 第一端之间的信号连结;
第三开关,耦接于该放大级电路的该第二补偿输出端及该第二补偿电 容的该第一端之间,用来根据第三控制信号,控制该第二补偿输出端及该第 二补偿电容的该第一端之间的信号连结;以及
第四开关,耦接于该第二电压产生器及该第二补偿电容的该第一端之 间,用来根据第四控制信号,控制该第二电压产生器及该第二补偿电容的该 第一端之间的信号连结。
2.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该输入信号由低电位 转换至高电位及由高电位转换至低电位时,该第一开关及该第三开关关闭,
且该第二开关及该第四开关导通,以及该输入信号于稳态时,该第一开关及 该第三开关导通,且该第二开关及该第四开关关闭。
3.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该输入信号由低电位 转换至高电位时,该第一开关及该第四开关导通,且该第二开关及该第三开 关关闭;该输入信号由高电位转换至低电位时,该第一开关及该第四开关关 闭,且该第二开关及该第三开关导通;以及该输入信号于稳态时,该第一开 关及该第三开关导通,且该第二开关及该第四开关关闭。
4.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器包 含有第一P型金属氧化物半导体晶体管,该第一P型金属氧化物半导体晶体 管包含有源极耦接于电源端,栅极耦接于该第二开关,及漏极耦接于该第二 开关,且该栅极及该漏极的电压为该第一电压。
5.根据权利要求4所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器还 包含有第二P型金属氧化物半导体晶体管,该第二P型金属氧化物半导体晶 体管包含有源极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极及该漏 极,漏极耦接于地端,以及栅极耦接于该放大级电路。
6.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器包 含有第一N型金属氧化物半导体晶体管,该第一N型金属氧化物半导体晶体 管包含有源极耦接于地端,栅极耦接于该第四开关,及漏极耦接于该第四开 关,且该栅极及该漏极的电压为该第二电压。
7.根据权利要求6所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器还 包含有第二N型金属氧化物半导体晶体管,该第二N型金属氧化物半导体晶 体管包含有源极耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极及该漏 极,漏极耦接于电源端,以及栅极耦接于该放大级电路。
8.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第一电压产生器是 单位增益运算放大器,该单位增益运算放大器的输入电压等于该第一电压。
9.根据权利要求1所述的轨对轨运算放大器,其中该第二电压产生器是 单位增益运算放大器,该单位增益运算放大器的输入电压等于该第二电压。
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