[发明专利]垂直磁记录介质以及使用其的磁记录和再现装置

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质具有衬底、磁记录层和保护层，其中

所述磁记录层包括第一磁性层、磁耦合层、第二磁性层和第三磁性层，

所述第一磁性层是包含氧化物且位于所述衬底与所述磁耦合层之间的垂直磁化薄膜，

所述第二磁性层是包含氧化物且通过所述磁耦合层而与所述第一磁性层铁磁耦合的垂直磁化薄膜，

所述第三磁性层是位于所述第二磁性层与所述保护层之间的铁磁性层，并且

包含在所述第三磁性层中的氧化物浓度低于所述第二磁性层的氧化物浓度，或者所述第三磁性层不包含氧化物，

其中，所述第一磁性层的厚度t1、所述第二磁性层的厚度t2和所述第三磁性层的厚度t3满足0.1＜t2/(t2+t3)＜0.6或0.2＜(t2+t3)/t1＜0.6。

2.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中所述第一磁性层的各向异性磁场Hk1高于所述第二磁性层的各向异性磁场Hk2。

3.根据权利要求1或2的垂直磁记录介质，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层是具有粒状结构的铁磁性层。

4.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中所述第一磁性层包含Co、Cr和Pt，所述第二磁性层包含Co、Cr和Pt，并且所述第三磁性层包含Co、Cr和Pt。

5.根据权利要求4的垂直磁记录介质，其中包含在所述第一磁性层和所述第二磁性层之中的氧化物是硅氧化物、钽氧化物或钛氧化物中的一种或者其混合物。

6.根据权利要求5的垂直磁记录介质，其中，所述磁耦合层包含Co和Ru或者所述磁耦合层包含Co和Cr。

7.根据权利要求5的垂直磁记录介质，其中所述磁耦合层包含Co、Cr和Ru。

8.根据权利要求5的垂直磁记录介质，其中所述磁耦合层包含Co、Cr和氧化物。

9.根据权利要求4的垂直磁记录介质，其中所述第一磁性层中的Pt元素的成分比例大于所述第二磁性层中的Pt元素的成分比例。

10.一种磁记录/再现装置，该磁记录/再现装置包括磁记录介质、用于驱动磁记录介质的介质驱动部分、用于对磁记录介质执行读/写操作的磁头和用于将磁头定位到磁记录介质上的期望磁道位置的磁头驱动部分，

其中：

所述磁记录介质是具有衬底、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，在该垂直磁记录介质中

所述磁记录层包括第一磁性层、磁耦合层、第二磁性层和第三磁性层，

所述第一磁性层是包含氧化物且位于所述衬底与所述磁耦合层之间的垂直磁化薄膜，

所述第二磁性层是包含氧化物且通过所述磁耦合层与所述第一磁性层铁磁耦合的垂直磁化薄膜，

所述第三磁性层是位于所述第二磁性层与所述保护层之间的铁磁性层，并且

包含在所述第三磁性层中的氧化物浓度低于所述第二磁性层的氧化物浓度，或者所述第三磁性层不包含氧化物，

其中，所述第一磁性层的厚度t1、所述第二磁性层的厚度t2和所述第三磁性层的厚度t3满足0.1＜t2/(t2+t3)＜0.6或0.2＜(t2+t3)/t1＜0.6。

11.根据权利要求10的磁记录/再现装置，其中

所述磁头具有写入主磁极和辅助返回磁极，并且进一步具有位于主磁极周边的磁屏蔽。

12.根据权利要求10或11的磁记录/再现装置，其中在所述垂直磁记录介质中，所述第一磁性层的各向异性磁场Hk1高于所述第二磁性层的各向异性磁场Hk2。