[发明专利]发光二极管阵列、具有其的背光模块和液晶显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，至少划分有一第一区域以及一第二区域，且该发光二极管阵列至少包括：

多个第一发光二极管裸芯，设于该第一区域中，其中该些第一发光二极管裸芯属于一第一规格范围；以及

多个第二发光二极管裸芯，设于该第二区域中，其中该些第二发光二极管裸芯属于一第二规格范围，且该第一规格范围与该第二规格范围的光学规格不同。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中该第一区域位于该发光二极管阵列的中央区。

3.如权利要求2所述的发光二极管阵列，其中该第二区域位在该第一区域外，而位于该发光二极管阵列的外侧区。

4.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中该第一规格范围与该第二规格范围以发光二极管裸芯的发光波长来作为区别。

5.如权利要求4所述的发光二极管阵列，其中该第一规格范围的该些第一发光二极管裸芯间的发光波长差异在±2.5nm以内，且该第二规格范围的该些第二发光二极管裸芯间的发光波长差异在±2.5nm以内。

6.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中该第一规格范围与该第二规格范围以发光二极管裸芯的亮度来作为区别。

7.如权利要求6所述的发光二极管阵列，其中该第一规格范围的该些第一发光二极管裸芯间的亮度差异在±5％以内，且该第二规格范围的该些第二发光二极管裸芯间的亮度差异在±5％以内。

8.如权利要求3所述的发光二极管阵列，还包括介于该第一区域与该第二区域之间的一交界区域，且在该交界区域中，该第一发光二极管裸芯与该第二发光二极管裸芯交错排列。

9.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中该第一区域的形状实质对称于该发光二极管阵列的一水平中心轴以及一垂直中心轴。

10.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其中该第二区域的形状实质对称于该发光二极管阵列的该水平中心轴以及该垂直中心轴。

11.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中该第一区域的宽度至少占该发光二极管阵列的整体宽度的1/2，且该第一区域的长度至少占该发光二极管阵列的整体长度的1/2。

12.一种背光模块，至少包括：

一背板；

一发光二极管阵列光源，设于该背板上，且该发光二极管阵列光源至少划分有一第一区域以及一第二区域，其中该发光二极管阵列光源至少包括：

多个第一发光二极管裸芯，设于该第一区域中，其中该些第一发光二极管裸芯属于一第一规格范围；以及

多个第二发光二极管裸芯，设于该第二区域中，其中该些第二发光二极管裸芯属于一第二规格范围，且该第一规格范围与该第二规格范围的光学规格不同；以及

一光学薄膜组，设于该发光二极管阵列光源之上。

13.如权利要求12所述的背光模块，其中该第一区域位于该发光二极管阵列的中央区。

14.如权利要求13所述的背光模块，其中该第二区域位在该第一区域外，而位于该发光二极管阵列的外侧区。

15.如权利要求14所述的背光模块，其中该第一规格范围与该第二规格范围依发光二极管裸芯的一光学规格来做区分，该光学规格选自于由发光二极管裸芯的发光波长、亮度及其组合所组成的一组群。

16.如权利要求15所述的背光模块，其中该第一规格范围的该些第一发光二极管裸芯间的发光波长差异在±2.5nm以内，且该第二规格范围的该些第二发光二极管裸芯间的发光波长差异在±2.5nm以内。

17.如权利要求15所述的背光模块，其中该第一规格范围的该些第一发光二极管裸芯间的亮度差异在±5％以内，且该第二规格范围的该些第二发光二极管裸芯间的亮度差异在±5％以内。

18.如权利要求14所述的背光模块，还包括介于该第一区域与该第二区域之间的一交界区域，且在该交界区域中，该第一发光二极管裸芯与该第二发光二极管裸芯交错排列。

19.如权利要求14所述的背光模块，其中该第一区域的形状与该第二区域的形状实质对称于该发光二极管阵列的一水平中心轴以及一垂直中心轴。