[发明专利]内建磁性电容的集成电路芯片及其制作方法

权利要求书

1、一种内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，包括有：

一形成有导电线路的基板；

多个集成电路元件，所述集成电路元件设置于该基板中且彼此电性连接；以及

一磁性电容单元，设置于该基板中，且电性连接所述集成电路元件，该磁性电容单元用来存储电位能，并供应电力维持所述集成电路元件运作。

2、根据权利要求1所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该磁性电容单元包含有至少一个磁性电容，该磁性电容包含有：

一第一磁性电极；

一第二磁性电极；以及

一介电层，该介电层夹设于该第一磁性电极与该第二磁性电极之间，其中该第一磁性电极与该第二磁性电极内具有一磁偶极以抑制该磁性电容单元的漏电流。

3、根据权利要求2所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该第一磁性电极的磁偶极与该第二磁性电极的磁偶极指向同一方向。

4、根据权利要求2所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该第一磁性电极的磁偶极与该第二磁性电极的磁偶极互为反向。

5、根据权利要求2所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该第一磁性电极包含有：

一第一磁性层；

一第二磁性层；以及

一隔离层，包含有非磁性材料，设于该第一磁性层与该第二磁性层之间。

6、根据权利要求5所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该第一磁性层具有排列成第一方向的磁偶极，而该第二磁性层具有排列成第二方向的磁偶极，且该第一方向的磁偶极与该第二方向的磁偶极互为反向，以抑制该磁性电容单元的漏电流。

7、根据权利要求1所述的内建磁性电容的集成电路芯片，其特征在于，该磁性电容单元增设为多个，且该些磁性电容单元以并联方式或串联方式电性连接而形成一磁性电容组。

8、一种内建磁性电容的集成电路芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤如下：

提供一基板；

形成多个彼此电性连接的集成电路元件于该基板中；

利用半导体制作过程，于该基板上形成一磁性电容单元，该磁性电容单元电性连接至所述集成电路元件。

9、根据权利要求8所述的内建磁性电容的集成电路芯片的制作方法，其特征在于，进一步提供多个基板，并以系统封装方式以堆叠并电性连接各基板。

10、一种集成电路芯片，其特征在于，包括有：

一基板；

多个集成电路元件设于该基板上，各该集成电路元件相互电连接；

一磁性电容单元，设置于该基板上，可选择性的电连接至一外部电源，该磁性电容单元包含有至少一磁性电容，用来存储电位能并提供一电力输出至该些集成电路元件；以及

一放电单元，电连接于该磁性电容与该多个集成电路元件之间，该放电单元包含有一直流/直流转换器，用以控制该磁性电容单元至该些集成电路元件的电力输出；

其中当该外部电源未供应电力至该集成电路芯片时，该磁性电容会持续提供电力输出至该多个集成电路元件，以维持该多个集成电路元件的运作。