[发明专利]坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置有效

专利信息
申请号: 200810214020.3 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101372736A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 鲁硕原;姜泰旻;成镇旭;李相奉;李承默;朴镇佑;金善浩;郑明钟 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: C23C14/12 分类号: C23C14/12;C23C14/26;F27B14/06;F27B14/20
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 罗正云;王诚华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 坩埚 加热 装置 包括
【说明书】:

技术领域

发明的各方面涉及一种坩埚加热装置,和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置,更具体而言,涉及一种包括具有接触部分的带的坩埚加热装置,和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。 

背景技术

近年来,利用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器(FPD)的薄轻型结构的优点,广泛进行着实现大型显示器和改善显示器质量的研究。在FPD中,OLED可为下一代FPD,其能够提供快速反应速度,无需滤色片即可实现颜色标识,并且无需使用单独的光源即可解决传统OLED的问题。 

一般而言,OLED具有形成在基板上的像素电极的预定图案。诸如空穴传输层、有机发射层、电子传输层等有机层相继形成在像素层上,并且相反电极形成在有机层上。 

OLED有机层可通过光刻蚀法形成。然而,在光刻蚀法过程中,有机层在抗层离的过程中和蚀刻过程中会暴露于湿气中。当淀积有机层时该湿气会造成问题。 

为了解决上述问题,可以采用一种在真空腔室中蒸发、升华和真空淀积有机材料的方法以形成有机层。这种真空淀积方法包括将基板放置在真空腔室中以便在其上形成有机层。随后,包括多个图案部分的图案掩膜设置在该基板下方。同时,一种坩埚加热装置以预定距离设置在图案掩膜下方,该坩埚加热装置包含用于在基板上淀积的有机材料。 

该坩埚加热装置使用加热器蒸发具有图案掩膜上的图案的有机材料,以 在基板上形成有机层。因此,该坩埚加热装置是对有机层的特征造成直接影响的重要装置。 

传统的坩埚加热装置包括坩埚,其包括一个具有开放上部的主体以容纳将要被淀积的材料,以及与该主体的上部配合并具有开口用于喷射材料的盖。温度控制部分设置在坩埚加热装置的外侧,用于控制该坩埚加热装置的温度。温度控制部分通过热电偶电连接至主体。因此,由于容纳在主体内的淀积材料的温度可由热电偶获得,所以有可能通过调节加热该坩埚的加热器来控制材料的淀积。 

在传统坩埚加热装置中,坩埚的热电偶和主体之间点接触。因此,当热电偶被连接或者断开以实现对坩埚的维护或者更换淀积材料时,很难将热电偶与主体接触在相同的位置。因此,很难再现相同的温度。 

另一方面,非接触热电偶可连接至与主体的外侧间隔一定距离的带,而不直接连接至主体。因此,加热器和淀积材料的温度均被检测,使得检测到的温度比淀积材料的实际温度高,从而造成温度准确性的问题。 

发明内容

本发明的各方面提供一种坩埚加热装置,和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置,所述坩埚加热装置通过包括具有接触部分的带能够提高温度精确性和温度准确性。 

根据本发明的各方面,一种坩埚加热装置包括:坩埚,其包括用于容纳淀积材料的主体,和设置在该主体上并具有喷嘴的盖;带,其通过多个接触部分连接至坩埚的外下区域,并连接至热电偶的一个端子;壳体,用于容纳坩埚和带,并具有开放的上部;和加热器,设置在壳体内部,用于加热淀积材料。 

根据本发明的另一方面,一种淀积装置包括:腔室;位于所述腔室上部并具有多个图案部分的图案掩膜;和坩埚加热装置,包括:坩埚,其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在主体上并具有喷嘴的盖;带,其通过多个接 触部分连接至坩埚的外下区域,并连接至热电偶的一个端子;壳体,用于容纳坩埚和带,并具有开放的上部;和加热器,其设置在壳体内部,用于加热淀积材料。 

本发明的其他方面和/或优点一部分将在下文中描述,一部分根据说明书显而易见,或者可通过应用本发明得知。 

附图说明

根据下文对示例性实施例的描述并结合附图,本发明的这些和/或其他方面和优点将变得显而易见和更为容易理解,其中: 

图1为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置的剖视图; 

图2为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置的带的透视图;和 

图3为根据本发明的示例性实施例的包括坩埚加热装置的淀积装置的剖视图。 

具体实施方式

现在将详细参照本发明示例于附图中的示例性实施例,其中全文中相同的附图标记代表相同的元件。以下将参照附图对实施例进行描述以阐释本发明。 

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