[发明专利]处理装置无效
| 申请号: | 200810214011.4 | 申请日: | 2008-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN101373707A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
| 发明(设计)人: | 东条利洋;佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/677;C23F4/00;G03F7/42;C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种处理装置,其特征在于,包括:
设置于处理容器内部且用于在其上部载置被处理体的载置台;
用于从所述载置台的上方侧供给处理气体,并对载置在所述载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给机构;
用于对所述处理容器的内部进行排气的排气机构;
形成于所述处理容器的侧壁部,且通过开闭部件被开闭的所述被处理体的搬入搬出口;和
整流用结构体,其以包围所述载置台上的被处理体载置区域的方式设置,用于在载置于所述载置台上的被处理体的周围形成处理气体的气体滞留区域,使该被处理体周边部的所述处理气体的流速变慢,
所述整流用结构体的所述搬入搬出口侧构成为筒状部件,该筒状部件用于区划形成从该搬入搬出口朝向所述被处理体载置区域的被处理体搬送路径。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述整流用结构体以其上端比所述被处理体的搬送高度位置更高的方式设置在所述载置台上。
3.如权利要求1或2所述的处理装置,其特征在于:
所述筒状部件的搬入搬出口侧的端部与处理容器的气氛未连通。
4.如权利要求1~3中任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述整流用结构体的所述筒状部件以外的部位构成为从所述载置台向上方延伸的整流壁。
5.如权利要求1~4中任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述整流用结构体的所述筒状部件以外的部位构成为一端侧朝向所述被处理体载置区域开口,其他端侧在处理容器的侧壁侧被关闭的扁平的结构体。
6.如权利要求5项所述的处理装置,其特征在于:
所述被处理体为四边形基板,
所述筒状部件设置于所述载置台的四边形的被处理体载置区域的一边侧,在该一边以外的剩下的三个其他边侧,所述结构体的一端侧沿该其他边开口。
7.如权利要求5或6所述的处理装置,其特征在于:
所述结构体的其他端侧通过处理容器的侧壁被关闭。
8.如权利要求1~7中任一项所述的处理装置,其特征在于,包括:
沿着所述载置台的被处理体载置区域的周边设置、且用于向载置在所述载置台上的被处理体的周边部供给非处理气体的非处理气体供给部。
9.如权利要求1~8中任一项所述的处理装置,其特征在于:
对所述被处理体进行的处理是形成于被处理体表面的铝膜的蚀刻处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





