[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法无效
| 申请号: | 200810213905.1 | 申请日: | 2008-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN101378057A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
| 发明(设计)人: | 姜明一 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/08;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;张英 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 绝缘体 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属电容器,包括:
第一金属间绝缘膜;
下部金属层,形成于所述第一金属间绝缘膜上方;
第二金属间绝缘膜,形成于所述下部金属层周围;
第三金属间绝缘膜,形成于所述下部金属层上方;
第一电容器下部金属层、第一电容器绝缘膜、第一电容 器上部金属层和第一覆盖层,顺序地形成于所述第三金属间绝 缘膜的一个部分上方;
第一层间绝缘膜、第四金属间绝缘膜和第二层间绝缘膜, 顺序地形成于包括所述第一覆盖层的所述第三金属间绝缘膜 上方;
第二电容器下部金属层,延伸穿过所述第二层间绝缘膜 和所述第一覆盖层以便所述第二电容器下部金属层连接至所 述第一电容器上部金属层;
第一钝化膜,形成于所述第二电容器下部金属层上方;
第二电容器上部金属层,形成于所述第一钝化膜的一个 部分上方,并且在布置了所述第二电容器下部金属层的区域中 延伸穿过所述第一钝化膜以便所述第二电容器上部金属层连 接至所述第二电容器下部金属层,所述第一电容器下部金属 层、所述第一电容器绝缘膜和所述第一电容器上部金属层构成 第一电容器,而所述第二电容器下部金属层、所述第一钝化膜 和所述第二电容器上部金属层构成第二电容器,其中所述第二 电容器层层压在所述第一电容器上方,以形成并联结构,在所 述并联结构中所述第一电容器和所述第二电容器并联连接;以 及
第二钝化膜至第四钝化膜,顺序地形成于包括所述第二 电容器上部金属层的所述第一钝化膜上方。
2.一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包括:
形成第一金属间绝缘膜;
在所述第一金属间绝缘膜上方形成下部金属层;
在所述下部金属层周围形成第二金属间绝缘膜;
在所述下部金属层上方形成第三金属间绝缘膜;
在所述第三金属间绝缘膜上方顺序地形成第一电容器下 部金属层、第一电容器绝缘膜、第一电容器上部金属层和第一 覆盖层;
在包括所述第一覆盖层的所述第三金属间绝缘膜上方形 成第一层间绝缘膜、第四金属间绝缘膜和第二层间绝缘膜;
形成第二电容器下部金属层,所述第二电容器下部金属 层延伸穿过所述第二层间绝缘膜和所述第一覆盖层,并且连接 至所述第一电容器上部金属层;
在所述第二电容器下部金属层上方形成第一钝化膜;
在所述第一钝化膜的一个部分上方形成第二电容器上部 金属层以便所述第二电容器上部金属层在布置了所述第二电 容器下部金属层的区域中延伸穿过所述第一钝化膜,以便所述 第二电容器上部金属层连接至所述第二电容器下部金属层,所 述第一电容器下部金属层、所述第一电容器绝缘膜和所述第一 电容器上部金属层构成第一电容器,而所述第二电容器下部金 属层、所述第一钝化膜和所述第二电容器上部金属层构成第二 电容器,其中所述第二电容器层层压在所述第一电容器上方, 以形成并联结构,在所述并联结构中所述第一电容器和所述第 二电容器并联连接;以及
在包括所述第二电容器上部金属层的所述第一钝化膜上 方顺序地形成第二钝化膜至第四钝化膜。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在包括所述第一覆盖层的 所述第三金属间绝缘膜上方形成所述第一层间绝缘膜、所述第 四金属间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜,包括:
在所述第三金属间绝缘膜的整个上部表面上方沉积所述 第一层间绝缘膜,并且根据化学机械抛光工艺平坦化所述第一 层间绝缘膜;
在所述第一层间绝缘膜上方形成所述第四金属间绝缘 膜;
形成延伸穿过所述第一覆盖层、所述第一层间绝缘膜和 所述第四金属间绝缘膜的接触孔,以部分暴露所述第一电容器 上部金属层;
在包括所述接触孔的所得到的结构的整个上部表面上方 形成所述第二层间绝缘膜;以及
在对应于所述接触孔的区域中蚀刻所述第四金属间绝缘 膜和所述第二层间绝缘膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





