[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

第一衬底，包含像素部分和外围部分；

读出电路，位于所述像素部分上；

层间电介质，位于包括所述像素部分和所述外围部分的所述第一衬 底上；

第一下金属线，穿过所述层间电介质，以与所述读出电路电连接；

第二下金属线，穿过所述层间电介质，以与所述外围部分电连接；

光电二极管，在所述层间电介质的与所述像素部分对应的部分上；

透明电极，位于上面形成有所述光电二极管的所述层间电介质上， 所述透明电极与所述光电二极管和所述外围部分的第二下金属线电连 接；

第一钝化层，位于所述透明电极上，所述第一钝化层包括用以暴露 所述透明电极的一部分的沟槽；以及

上金属线，位于所述外围部分上，包括在所述第一钝化层的沟槽中， 其中所述上金属线保护所述光电二极管的位于所述像素部分边缘处的侧 部；

其中所述沟槽配置在所述外围部分上，其中所述上金属线的顶表面 具有与所述像素部分上的所述第一钝化层的顶表面相同的高度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第二钝化层，位于所述第一钝化层和所述上金属线上；以及

滤色镜，位于所述第二钝化层的与所述光电二极管对应的部分上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出电路包括在所 述第一衬底中的电学结区，其中所述电学结区包括：

第一导电型离子注入区，位于所述第一衬底中；以及

第二导电型离子注入区，位于所述第一导电型离子注入区上。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：第一导电型连接区， 与所述电学结区上的第一下金属线电连接。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：第一导电型连接区， 与所述电学结区的侧部的所述第一下金属线电连接。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中将所述读出电路设计为 在晶体管的源极和漏极之间存在电位差，其中所述晶体管的源极与所述 第一下金属线电连接。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述晶体管包括转移晶 体管，其中所述转移晶体管的源极的离子注入浓度小于所述转移晶体管 的漏极处的浮置扩散区的离子注入浓度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述透明电极仅形成在 所述像素部分上，

其中所述第一钝化层配置在所述透明电极和所述外围部分上，

其中所述第一钝化层包括用以暴露与所述光电二极管对应的透明电 极的一部分的第一沟槽，以及用以暴露所述外围部分中的金属线的第二 沟槽，以及

其中所述上金属线从所述第一沟槽延伸至所述第二沟槽，并且形成 在所述第一钝化层的与所述光电二极管的横向侧对应的部分上。