[发明专利]液晶显示器、薄膜晶体管基底及改进显示品质的方法有效

专利信息
申请号: 200810213559.7 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN101546079A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 金障镒;朴铉;郑有玄;梁胜硕;朴贞恩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;G09G3/36
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 杨 静;郭鸿禧
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器 薄膜晶体管 基底 改进 显示 品质 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示器,包括:

第一绝缘基底;

栅极布线,形成在第一绝缘基底上,并且沿着第一方向延伸;

第一数据布线和第二数据布线,与栅极布线绝缘并且与栅极布线交叉, 并且数据布线沿着第二方向延伸;

像素电极,每个像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,第一 子像素电极和第二子像素电极被分别施加来自于第一数据布线和第二数据布 线的不同的数据电压,

其中,第一数据布线的至少一部分与第二数据布线叠置,

其中,第一数据布线和第二数据布线彼此绝缘。

2.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,在第一数据布线和第二数据 布线之间设置有绝缘层。

3.如权利要求2所述的液晶显示器,其中,绝缘层包含氮化硅SiNx或 有机材料。

4.如权利要求3所述的液晶显示器,其中,所述液晶显示器还包括:

第二绝缘基底,面对第一绝缘基底;

共电极,形成在第二绝缘基底上;

液晶层,设置在第一绝缘基底和第二绝缘基底之间,所述液晶层包含液 晶分子。

5.如权利要求4所述的液晶显示器,还包括:

存储线和存储电极,形成在第一绝缘基底上方,并且平行于栅极布线延 伸。

6.如权利要求5所述的液晶显示器,其中,第一数据布线和第二数据布 线的宽度不同。

7.如权利要求6所述的液晶显示器,其中,像素电极不与数据布线叠置。

8.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,对于每个像素电极,施加到 第一子像素电极的数据电压高于施加到第二子像素电极的数据电压。

9.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,对于每个像素电极,第二子 像素电极被形成为围绕第一子像素电极。

10.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,第一类型的像素和第二类 型的像素沿着第一方向和第二方向交替排列,其中,每个第一类型的像素具 有从第一数据线施加有数据电压的第一子像素电极,每个第二类型的像素具 有从第二数据线施加有数据电压的第一子像素电极。

11.一种薄膜晶体管基底,包括:

栅极布线以及第一数据布线和第二数据布线,在绝缘基底上,第一和第 二数据布线与栅极布线绝缘并与栅极布线交叉;

一对第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,连接到栅极布线和数据布线;

第一子像素电极,连接到第一薄膜晶体管;

第二子像素电极,与第一子像素电极分开一定间隙,第二子像素电极连 接到第二薄膜晶体管;

存储线,与第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个叠置,并且 接收第一存储电压,

其中,第一数据布线的至少一部分与第二数据布线叠置,

其中,第一数据布线和第二数据布线彼此绝缘。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管基底,其中,在第一数据布线和第 二数据布线之间设置有绝缘层。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管基底,其中,绝缘层包含氮化硅 SiNx或有机材料。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管基底,还包括:

存储线和存储电极,形成在第一绝缘基底上方,并且平行于栅极布线延 伸。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管基底,其中,第一数据布线和第二 数据布线的宽度不同。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管基底,其中,像素电极不与数据布 线叠置;

第二子像素电极围绕第一子像素电极。

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