[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将多个单晶半导体衬底设置在浅盘中，所述浅盘包括多个用于保持所 述多个单晶半导体衬底的凹部；

在所述多个单晶半导体衬底上形成第一阻挡层；

对所述第一阻挡层照射离子，以在每个所述多个单晶半导体衬底中形 成损伤区域；

在所述第一阻挡层上形成接合层；

使所述接合层与含有杂质元素的衬底互相接触，以使所述多个单晶半 导体衬底与所述含有杂质元素的衬底接合；

使所述多个单晶半导体衬底沿所述损伤区域分离，以在所述含有所述 杂质元素的衬底上形成多个单晶半导体层；

使用所述多个单晶半导体层形成多个半导体元件；以及

覆盖所述多个半导体元件地形成第二阻挡层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中通过进行热处理，使所述多个单晶半导体层从所述多个单晶半导 体衬底分离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一阻挡层具有氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层结构。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第二阻挡层具有氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层结构。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述浅盘由石英玻璃或不锈钢形成。

6.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在浅盘中设置多个单晶半导体衬底，所述浅盘包括多个用于保持所述多 个单晶半导体衬底的凹部；

对所述多个单晶半导体衬底照射离子，以在每个所述多个单晶半导体 衬底中形成损伤区域；

在每个所述多个单晶半导体衬底上形成接合层；

在含有杂质元素的衬底上形成第一阻挡层；

使所述接合层与所述第一阻挡层互相接触，以使所述多个单晶半导体 衬底与所述含有所述杂质元素的衬底接合；

使所述多个单晶半导体衬底沿所述损伤区域分离，以在所述含有所述 杂质元素的衬底上形成多个单晶半导体层；

使用所述多个单晶半导体层形成多个半导体元件；以及

覆盖所述多个半导体元件地形成第二阻挡层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一阻挡层用作对所述杂质元素的阻挡层。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述杂质元素对每个所述多个半导体元件的特性产生影响。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中通过进行热处理，使所述多个单晶半导体层从所述多个单晶半导 体衬底分离。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一阻挡层具有氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层结构。

11.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第二阻挡层具有氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层结构。

12.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述浅盘由石英玻璃或不锈钢形成。