[发明专利]承载装置及沉积机台的监测方法无效
| 申请号: | 200810212980.6 | 申请日: | 2008-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN101677056A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 赖宏岱 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/66;C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 承载 装置 沉积 机台 监测 方法 | ||
1、一种承载装置,适于配置在一沉积机台中以承载一晶片,包括:
一承载座,用以放置该晶片于其上;
一沉积环,配置于该承载座的外围表面上;以及
一侦测单元,包括:
至少一第一电极与至少一第二电极,分别配置于该承载座的表面,且该第一电极与该第二电极互不接触;
一信号输出部,连接该第一电极,以输出一信号;以及
一信号接收部,连接该第二电极,其中通过该信号接收部是否接收到该信号,以判断该第一电极与该第二电极是否电性连接在一起。
2、如权利要求1所述的承载装置,其中该第一电极与该第二电极分别为环状电极,且该第一电极与该第二电极是以同心圆的方式而配置。
3、如权利要求1所述的承载装置,其中该第一电极与该第二电极分别配置于该沉积环下方的该承载座表面。
4、如权利要求3所述的承载装置,其中该侦测单元为沉积环损坏侦测器。
5、如权利要求1所述的承载装置,其中该第一电极与该第二电极分别配置于该晶片下方的该承载座表面。
6、如权利要求5所述的承载装置,其中该侦测单元为晶片破片侦测器。
7、如权利要求1所述的承载装置,其中当该侦测单元具有多个第一电极与多个第二电极时,各该些第一电极与各该些第二电极为间隔配置。
8、如权利要求7所述的承载装置,其中该沉积环下方与该晶片下方的该承载座表面分别配置有该些第一电极与该些第二电极。
9、如权利要求1所述的承载装置,还包括一控制单元,该控制单元连接该侦测单元,以根据该侦测单元的侦测结果来停止该沉积机台的运作。
10、如权利要求1所述的承载装置,其中该承载座的材料包括陶瓷材料。
11、如权利要求1所述的承载装置,其中该沉积环的材料包括陶瓷材料。
12、如权利要求1所述的承载装置,其中该沉积机台包括物理气相沉积机台。
13、一种沉积机台的监测方法,该方法包括:
提供一承载装置,包括:
一承载座;
一沉积环,配置于该承载座的外围表面上;以及
至少一第一电极与至少一第二电极,分别配置于该承载座的表面,且该第一电极与该第二电极互不接触;
放置一晶片于该承载座上;
进行一沉积工艺,并输出一信号至该第一电极;以及
通过该第二电极是否接收到该信号以判断该第一电极与该第二电极是否电性连接。
14、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中当该第一电极与该第二电极电性连接,停止该沉积工艺。
15、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中该第一电极与该第二电极分别为环状电极,且该第一电极与该第二电极是以同心圆的方式而配置。
16、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中该第一电极与该第二电极分别配置于该沉积环下方的该承载座表面。
17、如权利要求16所述的沉积机台的监测方法,其中该监测方法用于检测该沉积环的损坏。
18、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中该第一电极与该第二电极分别配置于该晶片下方的该承载座表面。
19、如权利要求18所述的沉积机台的监测方法,其中该监测方法用于检测该晶片的损坏。
20、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中当该承载装置具有多个第一电极与多个第二电极时,各该些第一电极与各该些第二电极为间隔配置。
21、如权利要求20所述的沉积机台的监测方法,其中该沉积环下方与该晶片下方的该承载座表面分别配置有该些第一电极与该些第二电极。
22、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中该承载座的材料包括陶瓷材料。
23、如权利要求13所述的沉积机台的监测方法,其中该沉积环的材料包括陶瓷材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





