[发明专利]集成电路结构

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路装置，尤其涉及具有增加的开启电流(on-current)以及减少的漏电流的一种肖特基二极管(Schottky diodes)及其制造方法。

背景技术

肖特基二极管通常应用于需要快速开关的应用，例如应用于开关电路之用。此外，当标准硅二极管具有约为0.6伏特的顺向压降(forward voltage drop)时，肖特基二极管于约为1微安培(mA)的顺向偏压时的压降则约介于0.15～0.45伏特，因而适用于电压嵌位(voltage-clamping)的应用以及避免晶体管饱和(transistor saturation)的应用。肖特基二极管与其他类型二极管的差别更在于其高电流密度。

图1为一示意图，示出了公知的肖特基二极管100的剖面图，肖特基二极管100形成于P型基底102之上。另外形成有一高电压P型阱区104，以作为环绕于高电压N型阱区106的一环状物。浅沟槽隔离环状物108也环绕高电压N型阱区106及高电压P型阱区104的一内部。含金属层110形成于高电压P型阱区104以及高电压N型阱区106之上，因而形成一肖特基二极管。N型埋入区112则分隔了肖特基二极管100与其下方的P型基底102，并透过高电压N型阱区116与接触区114形成电性接触。

肖特基二极管100则承受了低击穿电压(low breakdown voltage)的问题。图2示出了肖特基二极管100的电流-电压(I-V)曲线，其中X轴为施加于肖特基二极管100的逆向电压(reverse voltage，VR)，而Y轴代表了漏电流(leakage current)IR。值的注意的是，随着所施加的逆向电压VR的增加，漏电流IR也显著地增加。再者，其代表肖特基二极管提供顺向电流而不会造成显著漏电流(于逆向偏压时)的能力的Ion/Ioff比例约为1.2x10³，如此的表现对于具备高效率的肖特基二极管的实际应用方面仍为一不满意的结果。因此，便需要具有减低漏电流以及增加开启电流的肖特基二极管。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了集成电路结构，以解决前述的公知问题。

依据一个实施例，本发明提供了一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒(Schottky barrier)；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。

依据另一个实施例，本发明提供了一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；一第一高电压N型阱区，位于该半导体基底之上；一第一高电压P型阱区，位于该半导体基底之上并环绕该第一高电压N型阱区并与之相邻；一含金属膜层，位于该第一高电压N型阱区与该第一高电压P型阱区之上并与之相邻，其中该含金属膜层与该第一高电压N型阱区形成了一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层并与之相邻；一低电压P型阱区环绕该第一高电压N型阱区且与之相分隔，其中该低电压P型阱区自该隔离区下方的区域延伸至该含金属膜层下方的区域；一重度掺杂P型区域，位于该含金属膜层下方且环绕至少该第一高电压N型阱区的一中央部；一第二高电压N型阱区环绕该第一高电压N型阱区并与之相邻；一N型埋入区，位于该半导体基底之上，其中该N型埋入区位于该第一高电压N型阱区、该第二高电压N型阱区与该第一高电压P型阱区下方且与之相邻；以及一N型重度掺杂接触区，位于该第二高电压N型阱区的表面。

依据又一实施例，本发明提供了一种集成电路结构，包括：

一半导体基底，具有P型的掺杂特性；一第一肖特基二极管指状物；以及一第二肖特基二极管指状物。