[发明专利]暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉

权利要求书

1.一种卤化物荧光粉，用于暖白光发光二极管中， 其是以稀土氧化物石榴石为基础上的低色温卤氮化物 荧光粉，采用铈作为激活剂，特征在于：在该荧光粉 组份中添加氯离子Cl^-1，氮离子N^-3，其组成的化学计量 式为：

(∑Ln⁺³)₃Al₂[Al(O_1-2pCl_pN_p)₄]₃，

其中0.001≤p≤0.2，∑Ln＝Y和/或Gd和/或Tb和/或Lu和 /或Dy和/或Pr和/或Ce，且0.001≤(Y/∑Ln)≤0.5， 0.5≤(Gd/∑Ln)≤0.95，0≤(Tb/∑Ln)≤0.1，0≤(Lu/∑Ln) ≤0.05，0≤(Dy/∑Ln)≤0.05，0.0001≤(Pr/∑Ln)≤0.01， 0.01≤(Ce/∑Ln)≤0.1。

2.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中主 要的晶格参数a≥12.01A，并且随着公式中化学指数“p” 的增加而增大。

3.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其光谱 最大辐射为λ＝580±3nm，增加化学计量式中的化学参数 “p”时波长会往长波长位移。

4.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中当 增加荧光粉的化学指数“p”时，光谱半波宽会变大为 λ_0.5＝126+6nm。

5.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中当 增加荧光粉基质中的化学指数“p”时，辐射色坐标增至 ∑(x+y)＞0.88。

6.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中在 该荧光粉的基质中化学参数“p”的增大下量子输出从 ζ＝0.92增至ζ＝0.96。

7.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中该 荧光粉的颗粒成棱形状，且该荧光粉颗粒的中位线直 径为d₅₀≤4.0微米，d₉₀≤16微米。

8.一种暖白光发光二极管，其是以InGaN半导体 异质结为基质且具有一发光转换层的结构，其特征在 于：所述发光转换层通过将根据权利要求1所述的卤化 物荧光粉与聚合物相混合的方式而形成，该发光转换层 以厚度均匀的形式分布在该InGaN半导体异质结的发光 表面及侧面，直接与该InGaN半导体异质结的平面与棱 面接触。

9.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管，其 中该发光转换层内荧光粉颗粒重量比从8～75％。

10.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管， 其中该发光转换层的表面及侧边的厚度由80～200微米 组成。

11.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管， 其中该InGaN半导体异质结具有第一级异质结蓝光辐 射。

12.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管， 其中该辐射色坐标为2500K＜T≤4500K，演色指数Ra＞ 80单位。

13.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管， 其中对于2θ＝30°角时的光强辐射为1＞15cd.在1W电 功率的激发下，辐射光通量为F＞55流明，光效为η≥50 流明/瓦特。

14.如权利要求第8项所述的暖白光发光二极管， 其中根据该暖白光发光二极管所制成的白炽灯在3W 功率上的光通量F＞185流明。