[发明专利]光辅助磁头装置、光辅助磁记录装置及光辅助磁记录方法无效

专利信息
申请号: 200810211548.5 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101393747A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 小岛直人 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/31;G11B5/012;G11B11/105
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 辅助 磁头 装置 记录 方法
【权利要求书】:

1.一种光辅助磁头装置,包括

聚焦光学系统;以及

薄膜磁头,包括主磁极,

其中,所述聚焦光学系统包括半球形或超半球形固体浸没透镜,并且

其中,所述薄膜磁头包括在所述主磁极的光入射侧上引起表面等离子体振子共振的金属层。

2.根据权利要求1所述的光辅助磁头装置,其中

线偏振光入射到所述聚焦光学系统上,并且所述入射光的电场振动方向沿所述光辅助磁头与磁记录介质之间的相对运动方向配置。

3.根据权利要求1所述的光辅助磁头装置,

其中,所述薄膜磁头是用于垂直磁记录的单极磁头,

其中,所述金属层被设置在所述主磁极的在所述光辅助磁头装置和磁记录介质之间的相对运动方向上的流入端的侧表面上,并且

其中,所述金属层沿所述聚焦光学系统的光轴配置。

4.根据权利要求3所述的光辅助磁头装置,其中

所述光轴被配置在所述金属层的中心部。

5.根据权利要求1所述的光辅助磁头装置,其中

设置在所述主磁极上的所述金属层的材料是Au、Ag、Au合金以及Ag合金之一。

6.根据权利要求1所述的光辅助磁头装置,其中

所述主磁极上的所述金属层的厚度至少为1nm,并且不大于要记录在磁记录介质上的最小记录标记长度。

7.根据权利要求1所述的光辅助磁头装置,其中

所述固体浸没透镜包括形成透镜的球形部分的球形部以及面向磁记录介质的光学材料部,并且所述薄膜磁头在所述光学材料部上形成。

8.一种光辅助磁记录装置,包括:

光源单元;

磁记录介质安装单元;

薄膜磁头,包括主磁极;

记录信号控制单元;以及

聚焦光学系统,将来自所述光源单元的光导向所述薄膜磁头,

其中,所述聚焦光学系统包括半球形或超半球形固体浸没透镜,并且

其中,所述薄膜磁头包括在所述主磁极的光入射侧上引起表面等离子体振子共振的金属层。

9.根据权利要求8所述的光辅助磁记录装置,其中

所述薄膜磁头安装在空气轴承滑块上。

10.根据权利要求8所述的光辅助磁记录装置,

其中,所述薄膜磁头安装在致动器上,所述致动器在磁记录介质表面的法线方向进行定位,以及

其中,来自所述磁记录介质的通过近场的返回光用于控制所述薄膜磁头和所述磁记录介质之间的距离。

11.一种光辅助磁记录方法,包括以下步骤:

将薄膜磁头配置在聚焦光学系统的聚焦点位置;

在所述薄膜磁头的主磁极上设置引起表面等离子体振子共振的金属层;以及

通过从设置了所述主磁极的所述金属层的前端位置施加近场光而在磁记录介质上进行记录。

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