[发明专利]将2048字节页的Nand Flash模拟成硬盘的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种将2048字节页的Nand Flash模拟成硬盘的方法和装置。 

背景技术

嵌入式系统中广泛的采用Flash(闪存)来存储程序和数据。Flash具有系统掉电后仍可保留内部信息及可擦写等功能特点。目前广泛使用的Flash主要有Nor Flash和Nand Flash两种。与Nor Flash相比，Nand Flash具有很好的性价比，更适合于在嵌入式系统中存储数据。 

目前，Flash文件系统的种类主要包括JFFS2(Joumaling Flash File System，日志闪存文件系统版本2)和YAFFS(Yet Another Flash File System，一种专为Nand Flash设计的日志文件系统)等Flash文件系统。但是，某些应用需要在Nand Flash上运行传统的磁盘文件系统，如FAT16(FAT16/32是DOS/Windows操作系统上的一种磁盘文件系统)、FAT32、EXT2(EXT2/3是Linux操作系统上的磁盘文件系统)和EXT3等。 

Nand Flash的内部存储单元的结构是块页结构，一般情况下每个块(Block)由64个页(Page)组成，Nand Flash以块为单位进行擦除，以页为单位进行读写。根据页大小的不同，Nand Flash又分为两种，即512字节页和2048字节页；2048字节页的Nand Flash又称大页Nand Flash，由于具备存储量大等特点因此将逐渐成为使用趋势。 

512字节页与2048字节页的Nand Flash相比最大的不同点在于，512字节页的Nand Flash支持对块内的页随机写，而2048字节页的Nand Flash在块内只能对页进行顺序的写操作。例如，设Block0为空闲块，现有Page0和Page1需要写入，对于512字节页的Nand Flash，对Page0和Page1的写顺序没有要求；而对于2048字节页的Nand Flash来说，必须先写入Page0，再写入Page1。其次，尽管Nand Flash上的每Bit只允许写一次，但是512字节页的Nand Flash可以将同一页分成多个部分进行写操作，而目前2048字节页的Nand Flash最多只允许对同一页进行8次写操作。目前，Flash文件系统(如YAFFS和JFFS2)很好的支持2048字节页的Nand Flash这个特点，而传统磁盘文件系统只支持对扇区进行随机写。由于512字节页Nand Flash支持对块内页的随机写，所以目前大部分的系统都支持将512字节页的Nand Flash模拟为硬盘，如Linux操作系统中MTD(Memory Technology Device，存储技术设备)子系统的NFTL(Nand Flash Translation Layer，Nand Flash转换层)模块。现有技术中，由于2048字节页的Nand Flash不支持块内页的随机写，同时页大小也与磁盘文件系统的扇区大小512字节不相等，所以目前还没有系统能够将2048字节页的Nand Flash模拟为硬盘。 

发明内容

本发明提供一种将2048字节页的Nand Flash模拟成硬盘的方法和装置，用于实现将2048字节页的Nand Flash模拟成硬盘。 

本发明提供一种将2048字节页的Nand Flash模拟成硬盘的方法，包括： 

接收磁盘文件系统对磁盘扇区的读操作或写操作； 

根据Nand Flash中512字节页的OOB信息，获取与所述磁盘扇区对应的512字节页，并对所述获取的512字节页进行读操作、或块内页的顺序写操作； 

其中，所述512字节页由每一个2048字节页预先划分得到；所述OOB信息包括所述512字节页对应的逻辑单元、状态、逻辑扇区以及所在块的替换块； 

所述获取与所述磁盘扇区对应的512字节页，并对所述获取的512字节页进行读操作具体包括：接收磁盘文件系统发送的参数，所述参数包括磁盘扇区号和缓存区；根据磁盘扇区号，计算得到所述磁盘扇区对应的逻辑单元号和在逻辑单元中的偏移；根据逻辑单元号查找所述逻辑单元号对应的块链，不存在对应的块链时，向缓存区返回全0；存在对应的块链时，根据所述逻辑单元号对应的块链、以及所述磁盘扇区在逻辑单元中的偏移，查找到保存所述扇区最新数据的512字节页，将所述512字节页的数据拷贝到缓存区；