[发明专利]液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板，且特别涉及一种高开口率的液晶显示面 板。

背景技术

近年来，液晶显示面板产业蓬勃发展。且，随着工艺的进步以及市场需 求量大幅提升，使得业界必须在扩充产能的同时，不断地提升面板的显示品 质，以符合消费者对于画面品质日益严苛的要求。

以薄膜晶体管阵列整合彩色滤光片(Color-filter on Array，COA)技术而 言，其存储电容结构通常是由第一金属层重叠于第二金属层而形成，即所谓 的金属-绝缘层-金属(Metal Insulator Metal，MIM)存储电容。然而，这一种 MIM存储电容并不透光，使像素的开口率受其限制。尤其是在高解析度液 晶显示面板的应用上，MIM存储电容占据的面积，更大量地牺牲像素的开 口率，导致显示品质劣化。因此，如何使高解析度液晶显示面板具有更高的 开口率，以具市场优势，实乃产业界的重点课题之一。

发明内容

本发明有关于一种液晶显示面板，将彩色滤光片与薄膜晶体管阵列整合 于同一片基板上，并利用大面积且透光的透明底部电极来与透明像素电极形 成透光的存储电容结构，使像素的开口率不受存储电容结构的限制，以具高 开口率的优势。

本发明提出一种液晶显示面板，其包括一下基板、一上基板和一液晶分 子层。下基板包括一底板、一有源元件阵列结构层、一多色的彩色滤光层和 多个透明像素电极。有源元件阵列结构层包括多个透明底部电极和多个晶体 管结构、至少一绝缘层、多条扫描线和多条数据线，均形成于底板上。其中 至少一绝缘层覆盖透明底部电极。彩色滤光层形成于有源元件阵列结构层 上。透明像素电极形成于彩色滤光层上。各个透明像素电极与对应的透明底 部电极部分重叠，以形成多个存储电容结构。上基板实质上平行下基板设置。 液晶分子层位于上基板及下基板之间。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所 附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示液晶显示面板的解析度对开口率的关系图。

图2绘示依照本发明优选实施例的液晶显示面板的下基板的示意图。

图3绘示对应图2的剖面线3-3’的下基板的剖面图。

图4绘示对应图2的剖面线4-4’的下基板的剖面图。

附图标记说明

100：下基板

110：底板

120：有源元件阵列结构层

121、121(2)：透明底部电极

122：晶体管结构

122c：通道层

122d：漏极

122g：栅极

122s：源极

123：绝缘层

124、124(2)：扫描线

125：数据线

126：钝化层

130：彩色滤光层

140：透明像素电极

150：接触孔

bCF：边界

h1、h2：开口

具体实施方式

本发明实施例提出一种液晶显示面板，其一种将彩色滤光片与薄膜晶体 管阵列整合于同一片基板上的液晶显示面板。在本发明实施例中，可利用大 面积且透光的透明底部电极，来与透明像素电极形成透光的存储电容结构。 故在已知技术相较之下，本发明实施例的液晶显示面板具有高开口率的优 势。

一般而言，开口率与液晶分子受控制的面积有关。然而，以一般形式的 面板(非COA面板)而言，更会受到存储电容结构的布局影响，以及受到黑色 矩阵的组装(assembling)精度影响，使其开口率受限。另外，如以COA形式 的面板而言，虽其开口率可以排除黑色矩阵的组装精度的影响，但仍会受到 存储电容结构的布局影响，使开口率受限。

在本发明实施例中，使用以COA形式的面板，且使用透光的存储电容 结构，故开口率不受存储电容结构与黑色矩阵组装精度的影响。进而，在与 已知技术相较的下，可以提供更佳的开口率，尤其是在高解析度液晶显示面 板的应用上。