[发明专利]图案化方法和场效应晶体管有效
| 申请号： | 200810210675.3 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101373790A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | H·图斯;R·费尔哈伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 方法 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效应晶体管(100)，
具有两个沟道连接区(104、106)，
具有包含至少两个控制区部分的控制区(52、62)，
具有有源区，该有源区形成为单晶衬底(10c)的突起(56)，且 一方面布置在沟道连接区(104、106)之间，另一方面布置在两个控 制区部分之间，
以及具有电绝缘且布置在控制区部分和有源区(56)之间的绝缘 区(50、60)，
突起(56)与衬底(10c)在其基部通过电绝缘的绝缘材料(82) 隔离，
以及绝缘材料(82)横向地终止于单晶衬底(10c)中的突起(56) 处。
2.如权利要求1中所要求的场效应晶体管(100)，其特征在于 位于突起基部的突起(56)的两个侧面区域横向地邻接布置在彼此间 隔开的两个平面中的衬底(10c)的两个衬底区域，该距离(D)大于 一纳米、大于三纳米或大于五纳米。
3.如权利要求1或2中所要求的场效应晶体管(100)，其特征 在于控制区部分形成在突起(56)的两个侧面区域上。
4.如权利要求1至3其中之一所要求的场效应晶体管(100)，其 特征在于绝缘材料(82)没有突出超过突起(56)的至少一个侧面区域。
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