[发明专利]脉冲激光退火系统结构

权利要求书

1.一种半导体处理室，其包括：

设置成支撑衬底的第一衬底支架组件；

设置成支撑衬底的第二衬底支架组件，其中第一和第二衬底支架组件中的 每一个包括：

设置成固定其上的衬底的衬底卡盘；

设置成沿第一方向平移衬底卡盘的第一载物台；以及

设置成沿第二方向平移衬底卡盘的第二载物台；

连接到第一衬底支架组件和第二衬底支架组件的梭，其中所述第一衬底支 架组件和所述第二衬底支架组件间隔一固定的距离，所述梭设置成同时移动第 一衬底支架组件和第二衬底支架组件，所述梭设置成在处理区和第一加载区之 间移动第一衬底支架组件以及在处理区和第二加载区之间移动第二衬底支架 组件，并且处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架组件和第二衬底支架组件 的处理体积；以及

用于将处理区与第一和第二加载区选择性隔离的门。

2.如权利要求1所述的半导体处理室，其特征在于，梭具有第一位置和 第二位置，当梭处在第一位置时，第一衬底支架组件在第一加载区中，而第二 衬底支架组件在处理区中；而当梭处在第二位置时，第一衬底支架组件在处理 区中，而第二衬底支架组件在第二加载区中。

3.如权利要求1所述的半导体处理室，其特征在于，还包括：

设置在处理区中的能量源，其中将能量源设置成向退火区域投射能量，将 第一和第二衬底支架组件设置成将衬底的所需退火部分与退火区域对准。

4.如权利要求3所述的半导体处理室，其特征在于，第一和第二衬底支 架组件中的每一个还包括设置成使衬底卡盘围绕衬底卡盘的中心轴旋转的旋 转机构。

5.如权利要求3所述的半导体处理室，其特征在于，第一和第二衬底支 架组件中的每一个还包括设置成加热或冷却放置在衬底卡盘上的衬底的温度 控制组件。

6.如权利要求3所述的半导体处理室，其特征在于，将能量源设置成用 于投射脉冲激光能量。

7.一种退火系统，其包括：

具有处理区、第一加载区和第二加载区的处理室；

设置成支撑衬底并在第一加载区和处理区之间传送衬底的第一衬底支架 组件；

设置成支撑衬底并在第二加载区和处理区之间传送衬底的第二衬底支架 组件；

设置成将第一和第二衬底支架组件交替放置在处理区中的梭，其中第一衬 底支架组件和第二衬底支架组件以间隔固定的距离与梭连接，并且梭同时移动 第一和第二衬底支架组件；

用于将处理区与第一和第二加载区选择性隔离的门；以及

设置成用于向处理区中的退火区域投射能量的能量源。

8.如权利要求7所述的退火系统，其特征在于，将第一加载区和第二加 载区放置在处理区的相对侧，梭具有第一位置和第二位置，当梭处在第一位置 时，第一衬底支架组件在第一加载区中，而第二衬底支架组件在处理区中；而 当梭处在第二位置时，第一衬底支架组件在处理区中而第二衬底支架组件在第 二加载区中。

9.如权利要求7所述的退火系统，其特征在于，第一和第二衬底支架组 件中的每一个包括：

设置成用于固定其上的衬底的衬底卡盘；

设置成沿第一方向平移衬底卡盘的第一载物台；以及

设置成沿第二方向平移衬底卡盘的第二载物台。

10.如权利要求9所述的退火系统，其特征在于，第一和第二衬底支架组 件中的每一个还包括设置成用于使衬底卡盘围绕衬底卡盘的中心轴旋转的旋 转机构。

11.如权利要求9所述的退火系统，其特征在于，第一和第二衬底支架组 件中的每一个还包括设置成用于加热或冷却放置在衬底卡盘上的衬底的温度 控制组件。