[发明专利]用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法，其特征在于步骤如下：

§A将准备生长透明低阻/高阻复合膜的样品和导电氧化物靶材放入磁控溅射设备的真空腔内，采用机械泵和分子泵对真空腔抽至(4～8)×10^-4Pa本底真空；

§B磁控溅射参数范围设定：

溅射功率为50～100W；溅射气体为Ar、O₂，溅射气压为0.8～2.4Pa，其中O₂的体积百分比是通过调节Ar和O₂的流量比来控制O₂的体积百分含量；样品温度为300～500℃；溅射时间根据薄膜厚度要求而定；

§C透明低阻/高阻复合膜的生长

对于上层配置结构的薄膜太阳能电池，样品即为透明衬底，在透明衬底上，在纯Ar溅射气体下溅射生长透明低阻膜，膜厚根据要求而定；然后再在透明低阻膜上，在Ar、O₂混合工作气体下，O₂含量为1～15％，溅射生长透明高阻膜，膜厚根据要求而定，溅射结束后，停止衬底加热，薄膜样品随基片台一起冷却到室温；

对于下层配置结构的薄膜太阳能电池，样品即为衬底上依次制备有背接触电极、p型吸收层、n型窗口层；在n型窗口层上依次生长透明高阻膜、透明低阻膜，透明高阻膜和透明低阻膜的生长条件与上层配置结构相同。

2.根据权利要求1的一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法，其特征在于：所述的透明低阻/高阻复合膜材料为In₂O₃:Sn或ZnO:Al或SnO₂:F或SnO₂:Sb或CdO或CdIn₂O₄或Cd₂SnO₄或Zn₂SnO₄。

3.根据权利要求1的一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法，其特征在于所述的样品为透明衬底或衬底上依次制备有背接触电极、p型吸收层、n型窗口层的样品。