[发明专利]平行四边形LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种平行四边形LED芯片，特别涉及一种能够增加侧面出光的平行四边形LED芯片。

背景技术

对于LED芯片来说，如何增加出光十分重要，现有技术的芯片多采用长方形芯片，请参阅图1，当辐射出的光子P以入射角θ₁到达第一芯片壁w1，经反射后会以入射角θ₂到达第二芯片壁w2，再次反射后会以入射角θ₃到达第三芯片壁w3，对于长方形芯片，则有入射角θ₂＝90°-θ₁，θ₃＝θ₁，而对于常用的氮化稼材料的LED芯片，其光逃逸锥形临界角(light escapecone critical angle)约为23.5°，因此，只要光子P的入射角θ₁满足条件：23.5°＜θ₁＜66.5°时，其会因不断地被各壁反射而导致能量在芯片内的消耗，最终无法出光。

为此，在2007年12月1日的IEEE光子科技杂志第19卷第23期(IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS.VOL.19.NO.23.DECEMBER 1.2007)上，由Ja-Yeon Kim，Mon-Ki Kwon，Jae-Pil Kim，Seong-Ju Park所著的Enhanced Light Extraction From TriangularGaN-Based Light-Emitting Diodes(增强出光的三角形氮化稼基发光二极管)中，提出了一种三角形的LED芯片。

请参阅图2，对于等边三角形芯片，当光子P以入射角θ₄达到芯片壁h1后，经反射以入射角θ₆达到芯片壁h2，由于θ₅＝90°-θ₄，θ₇＝60°，θ₆＝90°-(180°-θ₇-θ₅)，因此，θ₆＝60°-θ₄，而当23.5°＜θ₄＜36.5°时，才会造成光子因在芯片内部的不断反射而被消耗。而在在环氧树脂的覆盖下，只要入射角θ在(36.8°，53.2°)内，等边三角形芯片内辐射出的光子就能逃出芯片，而长方形芯片内辐射出的光子则无法逃出芯片，显然相较于长方形芯片，三角形芯片能显著提高出光率，然而，三角形形状的芯片也会带来另一个问题。

请参阅图3，由于三角形的形状限制，为节省面积，相邻两个三角形芯片互相倒置，因此，相邻的电极(即黑色扇形及圆形区域)极性是相反的，在测试时，十分不便，如何保留三角形芯片的高出光率，又能方便的进行测试，实已成为本技术领域人员需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的所要解决的技术方案是提供一种能够增加侧面出光的平行四边形LED芯片。

为解决上述技术方案，本发明提供一种平行四边形LED芯片，包括设置有正电极及负电极的LED芯片本体，其特征在于：所述LED芯片本体的形状为平行四边形而非方形或三角形。

较佳地，所述芯片本体的形状优选为菱形；所述芯片本体设有阻挡电流流通以增加芯片侧面出光率的微型坑；所述微型坑处于所述平行四边形的一条对角线上；所述微型坑为长条形通孔；所述长条形通孔呈分离的两段。

本发明的有益效果在于：本发明提供的平行四边形LED芯片既增加了LED芯片的侧面出光，又能够同方向顺次排列，方便测量。

附图说明

图1为现有技术的方形芯片光线内部反射示意图。

图2为现有技术的三角形芯片内部出光示意图。

图3为现有技术的三角形芯片排列分布示意图。

图4为本发明一较佳实施例的平行四边形芯片结构示意图。

图5为本发明提供的平行四边形芯片的排列分布示意图。

图6为本发明另一较佳实施例的平行四边形芯片的结构示意图。

图7为上述平行四边形芯片的电流走向示意图。

图8为本发明另一较佳实施例的平行四边形芯片的结构示意图。

图9为上述平行四边形芯片的电流走向示意图。

图10为具有延伸部分的电极的平行四边形芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一