[发明专利]电阻转换存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻转换存储器，其特征在于，其包括：

选通单元，该选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料 层、至少一层半导体层；所述含锑材料层为锑纯金属或为含有锑的合金材料；

数据存储单元，包括至少一层含锑材料层。

2.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述数据存储单元的含锑材料层为 锑纯金属或为含有锑的合金材料。

3.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述含锑材料层的组份为锑及其他 金属的混合物或/和锑的氧化物或/和锑的氮化物或/和锑的氮氧化物。

4.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述含锑材料层作为数据存储单元 的一部分，同时作为选通单元的一部分。

5.根据权利要求4所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述含锑材料层还作为存储器芯片 中的导电位线。

6.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述肖特基二极管中，含锑材料层、 半导体层之间形成肖特基接触、即金属—半导体接触，从而形成肖特基二极管结构。

7.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述肖特基二极管由至少一层含锑 材料层、至少一层半导体层组成；所述数据存储单元由至少一层含锑材料层组成。

8.根据权利要求7所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述的电阻转换存储器数据存储特 征为双级存储、或为多级存储。

9.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：所述存储器包括高低阻转换单元， 高低阻转换单元通过电信号的编程，使存储器实现器件在高电阻、低电阻之间的可逆转变。

10.一种制造电阻转换存储器的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

A1、在第一导电类型或者本征的半导体基底上制造外围电路；

A2、制造出浅沟道，分隔出分立的线条，浅沟道刻蚀完毕后不去除光刻胶；

A3、通过离子注入，形成对基底的第一导电类型重掺杂，由于光刻胶的阻挡作用，分 立的线条将不被掺杂，仅对浅沟道底部进行第一导电类型离子注入，形成第一导电类型重 掺杂的区域，此区域围绕在分立线条的四周，用于电学隔离各根字线，注入完成后去除光 刻胶；

A4、在被浅沟道分隔开的线条的底部形成第二导电类型重掺杂的字线，方法为离子注 入或者侧面原子扩散法；

A5、将浅沟道填充介质材料，介质材料沉积厚度高于浅沟道的深度，后经化学机械抛 光工艺平坦化，控制抛光厚度，使字线上方保留一定厚度的介质材料；

A6、通过光刻工艺，选择性地刻蚀字线上方的介质材料，在每一单一的字线上方都制 造出多个窗口，用以制造肖特基二极管单元；

A7、再一次通过离子注入，被注入离子通过上述形成的窗口在字线上形成第二导电类 型的轻掺杂区；

A8、沉积含锑材料，该材料与上述第二导电类型的轻掺杂半导体之间形成可靠的肖特 基接触；

A9、沉积不同于含锑材料的导电材料；

A10、光刻法形成位线，位线包括步骤A9所述的导电材料层和含锑材料层，如此形 成基于含锑的电阻转换存储器阵列。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述含锑材料层为锑纯金属或为含有锑 的合金材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述含锑材料层的组份为锑及其他金属 的混合物或/和锑的氧化物或/和锑的氮化物或/和锑的氮氧化物。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在步骤A8沉积了含锑材 料后进行的退火处理步骤。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述含锑材料层在存储器中不仅作为存 储介质，还作为肖特基二极管中的金属层。