[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810207521.9 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101752292A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底中形成有沟槽；
在所述衬底上及沟槽中沉积氧化硅；
去除所述衬底上的氧化硅；
对所述沟槽中的氧化硅执行退火工艺；其中，
以小于或等于1000埃/分钟的速率沉积所述氧化硅并同时对所述衬 底执行冷却工艺，所述冷却工艺通过向所述衬底背面吹冷却气体来执 行，所述冷却气体的温度小于或等于30摄氏度，所述冷却工艺使所述 氧化硅中的氢气被释放出来，以减小压应力，并减小压应力对NMOS 晶体管载流子迁移率的抑制效应。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于： 在所述衬底上及沟槽中沉积氧化硅的方法为高密度等离子体化学气相 沉积或等离子体辅助化学气相沉积。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于： 在所述衬底上及沟槽中沉积氧化硅的方法为高密度等离子体化学气相 沉积工艺；所述高密度等离子体化学气相沉积工艺包括沉积和刻蚀步 骤，在所述高密度等离子体化学气相沉积工艺的刻蚀阶段，停止对所述 衬底执行冷却工艺。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的浅沟槽隔离结构的制造方 法，其特征在于：所述冷却气体包括氮气和/或惰性气体。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法中，其特征在 于：所述沉积工艺可以分为多步执行，在每一步执行完毕后，对所述衬 底执行冷却工艺。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于： 所述沉积工艺为高密度等离子体化学气相沉积方法，反应气体为O2、 SiH4；其中，O2的流量为40sccm至60sccm，SiH4的流量为25sccm至 50sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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