[发明专利]高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810205229.3 申请日: 2008-12-31
公开(公告)号: CN101462877A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 张文斌;张仲猷;董显林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/472;C04B35/12;C04B35/622;H01L41/187;E21B47/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 稳定 损耗 发射 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、高稳定低损耗发射压电陶瓷材料,其特征在于,基本化学组成为:

xPbTiO3+yPbZrO3+zBaTiO3+wSrTiO3+uCaFeO5/2

复合有fwt%的Cr2O3和gwt.%的NiO或Bi2O3

0.30≤x≤0.50;0.40≤y≤0.70;0.01≤z≤0.10;0.01≤w≤0.10;0.0≤u≤0.10;

0.01≤f≤0.30;0.01≤f≤0.50。

2、按权利要求1所述的高稳定低损耗发射压电陶瓷材料的制备方法,包括下述步骤:

(1)将Pb3O4,BaCO3,SrCO3,CaCO3,ZrO2,TiO2,NiO,Cr2O3,Fe2O3,Bi2O3按组成式计算各组成物质量,加入等质量的去离子水,球磨混合,使各组分均匀,烘干将含水量控制在8%以下,压块成型后预烧;

(2)采用氧化铝坩埚密封烧结工艺,控制升温速度在1-4℃/min,在1280℃—1320℃氧气气氛下烧结2~4小时。

3、按权利要求2所述的高稳定低损耗发射压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,预烧的条件为840-870℃/1~5h。

4、按权利要求2或3所述的高稳定低损耗发射压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,压块成型压力在1000~5000kg/cm2

5、按权利要求1所述的高稳定低损耗发射压电陶瓷材料用于石油声波测井领域。

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