[发明专利]一种单晶硅的磨面滚圆磨削方法有效
| 申请号： | 200810204590.4 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101745850A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 卢建伟 | 申请（专利权）人： | 上海日进机床有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B7/17;B24B9/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201601 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 滚圆 磨削 方法 | ||
1.一种单晶硅的磨面滚圆磨削方法，其特征在于：将一对具有环形磨 削面的杯形砂轮沿横向轴相对设置，使所述二杯形砂轮之间形成一 外环磨削空间以及一内环调整空间；将所述单晶硅纵向设置，使其 待滚圆面垂直所述杯形砂轮的横向轴；并在所述二杯形砂轮绕横向 轴旋转时，驱动所述单晶硅绕其纵向轴旋转并输送至所述外环磨削 空间进行滚圆磨削，所述单晶硅具有分别相对的第一对待磨面、第 二对待磨面、以及介于所述第一对待磨面与第二对待磨面之间的四 个待滚圆面；所述二杯形砂轮的环形磨削面之间的间距小于由所述 四个待滚圆面所构圆形的直径；所述内环调整空间的横向宽度大于 由所述四个待滚圆面所构圆形的直径。
2.如权利要求1所述的单晶硅的磨面滚圆磨削方法，其特征在于：所 述二杯形砂轮的环形磨削面之间的间距小于所述单晶硅的二相对 待磨面之间的间距。
3.如权利要求2所述的单晶硅的磨面滚圆磨削方法，其特征在于：所 述二杯形砂轮绕横向轴旋转时，输送所述单晶硅通过所述外环磨削 空间进行第一对待磨面磨削，当所述单晶硅进至所述内环调整空间 时，令所述单晶硅绕其纵向轴旋转预设角度，并自所述内环调整空 间送出所述单晶硅，以使其通过所述外环磨削空间时进行第二对待 磨面磨削。
4.如权利要求3所述的单晶硅的磨面滚圆磨削方法，其特征在于：所 述预设角度为90度。
5.如权利要求1所述的单晶硅的磨面滚圆磨削方法，其特征在于：所 述内环调整空间的纵向高度大于所述单晶硅的高度。
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