[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，包括金属层、P+区、N-区、P区、N+区、栅氧层及硅栅层，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管还包括包含N型硅锗合金的场终止层。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该场终止层还包括N型杂质。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该场终止层中锗离子的浓度为1％-30％，注入能量为20KeV-1MeV。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该场终止层位于该P+区和该N-区之间。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管是用硅晶片制成，P区和N+区位于硅晶片的正面，P+区和场终止层位于硅晶片的背面。

6.一种制造绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

第一步，提供基材，在该基材上形成栅氧层和硅栅层；

第二步，在该基材的正面形成P区及N+区，并在正面制作金属电极；

第三步，在该基材的背面注入锗(germanium，Ge)形成硅锗合金；

第四步，退火形成包含N型硅锗合金的场终止层；

第五步，注入硼离子并低温退火激活形成P+区和阳极；及

第六步，背面蒸发形成金属层，制成绝缘栅双极晶体管。

7.根据权利要求6所述的制造的方法，其特征在于，在第三步中，在该基材的背面还注入N型杂质。

8.根据权利要求7所述的制造的方法，其特征在于，该场终止层还包括N型杂质。

9.根据权利要求8所述的制造的方法，其特征在于，在第四步中，用低温固相外延结合激光退火形成GeSi晶体层，并激活注入的N型杂质。

10.根据权利要求9所述的制造的方法，其特征在于，该场终止层中锗离子的浓度为1％-30％，注入能量为20KeV-1MeV。