[发明专利]环形振荡电路无效
申请号: | 200810202895.1 | 申请日: | 2008-11-18 |
公开(公告)号: | CN101409541A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 罗鹏;庄宇 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭矽创微电子有限公司 |
主分类号: | H03K3/03 | 分类号: | H03K3/03;H03K3/011 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅 |
地址: | 200233上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环形 振荡 电路 | ||
1.一种环形振荡电路,其特征是,包括:
奇数个反相器串联,上述这些反相器均耦接电源电压;
电容,其第一端耦接上述这些反相器的首尾,第二端接地;以及
第一电容放电电路,耦接上述电容的上述第一端,用以控制上述电容的放电时间。
2.根据权利要求1所述的环形振荡电路,其特征是,其中上述第一电容放电电路包括耗尽型MOS管。
3.根据权利要求2所述的环形振荡电路,其特征是,其中上述耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管或者耗尽型NMOS管。
4.根据权利要求2所述的环形振荡电路,其特征是,其中上述第一电容放电电路还包括正温度系数的电阻,其一端耦合上述耗尽型MOS管,另一端接地,用于控制上述电容的放电电流的稳定。
5.根据权利要求1所述的环形振荡电路,其特征是,还包括第二电容放电电路,其耦接上述电容和接地端。
6.根据权利要求5所述的环形振荡电路,其特征是,其中第二电容放电电路包括耗尽型MOS管。
7.根据权利要求6所述的环形振荡电路,其特征是,其中上述耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管或者耗尽型NMOS管。
8.根据权利要求1所述的环形振荡电路,其特征是,还包括电容充电电路,其耦接上述电源电压、上述电容和上述这些反相器的一端,用以控制上述电容的充电时间。
9.根据权利要求8所述的环形振荡电路,其特征是,其中电容充电电路包括增强型MOS管。
10.根据权利要求1所述的环形振荡电路,其特征是,还包括增强型MOS管耦接上述电源电压、上述电容的上述第一端和上述反相器的一端。
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