[发明专利]填充空隙沟槽和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种填充空隙沟槽的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；

去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；

在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。

2.根据权利要求1所述的填充空隙沟槽的方法，所述去除部分第一材料层的刻蚀气体包括NH₃和NF₃，所述NH₃和NF₃的流量比为4至6。

3.根据权利要求2所述的填充空隙沟槽的方法，所述NH₃的流量范围为10至20sccm，所述NF₃的流量范围为50至100sccm。

4.根据权利要求2或3所述的填充空隙沟槽的方法，所述去除部分第一材料层的刻蚀气体还包括He，所述He的流量范围为200至400sccm。

5.根据权利要求1所述的填充空隙沟槽的方法，所述第一材料层包括氮化硅或者氧化硅，所述第二材料层包括氧化硅、掺磷氧化硅、掺硼氧化硅、或掺硼磷氧化硅。

6.根据权利要求1或5所述的填充空隙沟槽的方法，所述第一材料层的应力为0.95至1.1GPa。

7.根据权利要求6所述的填充空隙沟槽的方法，所述第一材料层的应力为1.0至1.1GPa。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有分立的栅极结构、覆盖于分立的栅极结构上的侧墙层、位于侧墙层上的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层表面包括位于栅极结构之上的非空隙沟槽表面和位于相邻分立栅极结构之间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；

去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分蚀刻停止层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；

在蚀刻停止层上形成金属间介电层并填充空隙沟槽。

9.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，所述去除部分蚀刻停止层的刻蚀气体包括NH₃和NF₃，所述NH₃和NF₃的流量比为4至6。

10.根据权利要求9所述的形成半导体器件的方法，所述NH₃的流量范围为10至20sccm所述NF₃的流量范围为50至100sccm。

11.根据权利要求9或10所述的形成半导体器件的方法，所述去除部分蚀刻停止层的刻蚀气体还包括He，所述He的流量范围为200至400sccm。

12.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，所述蚀刻停止层为氮化硅。

13.根据权利要求8或12所述的形成半导体器件的方法，所述蚀刻停止层的应力为0.95至1.1GPa。

14.根据权利要求13所述的形成半导体器件的方法，所述蚀刻停止层的应力为1.0至1.1GPa。

15.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，所述金属间介电层包括掺磷氧化硅、掺硼氧化硅、或掺硼磷氧化硅，所述金属间介电层通过高密度等离子体沉积方法形成。