[发明专利]具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法

权利要求书

1.一种具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法，所述半导体晶片上制作有 半导体器件，所述半导体器件包括金属互连层，其特征在于：所述制作方法 包括：对金属互连层进行一次回火处理；所述回火的工艺条件为300℃--600 ℃，持续20分钟--90分钟；

形成镶嵌于金属间介电层中的金属互连层；

其中所述金属间介电层包括富氧二氧化硅层和氟掺杂的氧化硅玻璃层， 所述制作方法包括：富氧二氧化硅淀积步骤和氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积步 骤，所述富氧二氧化硅淀积工艺和氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积工艺之间包括 对等待时间进行管控的步骤，所述针对等待时间的规定时限为小于等于10小 时；

所述对等待时间进行管控的步骤包括：

针对等待时间设定一个规定时限，并在半导体晶片上标示出所述规定时 限；

当完成富氧二氧化硅淀积工艺后开始计时；

当计时的结果为超出所述规定时限但仍未进行氟掺杂的氧化硅玻璃层淀 积工艺时，产生提示信息，并提高所述半导体晶片的优先级；其中，当开始 进行氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积工艺时则停止计时。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，当半导体 器件具有多层结构时，所述回火处理步骤是在所述多层结构中后段的若干层 制作金属间介电层和金属互连层的工艺中进行。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，所述 回火处理步骤包括对形成的金属互连层及金属间介电层分别进行回火处理。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，进一步包 括在半导体晶片上制作半导体器件之前提供具有低翘曲度的半导体承载晶 片。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，所述半导 体承载晶片的翘曲度在晶片尺寸为8英寸时小于等于10微米。