[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法无效
申请号: | 200810201777.9 | 申请日: | 2008-10-24 |
公开(公告)号: | CN101728308A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 王津洲;高大为 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,包括:
在半导体衬底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层;
刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底,形成浅沟槽;
对浅沟槽内半导体衬底进行激光热处理并通入氧气,形成衬氧化层;
在浅沟槽内填充满绝缘氧化层;
去除腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底,形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述激光为脉冲激光。
3.根据权利要求2所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述脉冲激光的脉冲周期为1微秒~1毫秒。
4.根据权利要求3所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,单次脉冲激光处理半导体衬底所用时间为1纳秒~1微秒。
5.根据权利要求4所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,激光射至半导体衬底上使半导体衬底的温度达到1000℃~1400℃。
6.根据权利要求1至5任一项所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述激光功率为1×104W/cm2~1×107W/cm2。
7.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述形成衬氧化层的厚度为20埃~100埃。
8.根据权利要求7所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述衬氧化层的材料为二氧化硅。
9.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,填充绝缘氧化层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法。
10.根据权利要求9所述浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述绝缘氧化层的材料为二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810201777.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种资源调度的方法、系统及装置
- 下一篇:浅沟槽隔离结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造