[发明专利]一种降低定向凝固法硅产品杂质的方法无效
| 申请号: | 200810201720.9 | 申请日: | 2008-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN101723380A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
| 发明(设计)人: | 王武生 | 申请(专利权)人: | 上海奇谋能源技术开发有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201600 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 降低 定向 凝固 产品 杂质 方法 | ||
1.一种降低定向凝固法硅产品杂质的方法,包括定向凝固法硅产品,其特征是:所述方法是利用定向凝固法所生产的产品中硅与其中杂质的熔点和沸点的不同,以及在不同压力、不同温度下的蒸气压的不同,通过对产品进行蒸馏,将硅与其中的杂质进行分离,从而降低硅产品中杂质的含量,提高硅的纯度的方法。
2.根据权利要求1所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏是精馏。
3.根据权利要求1或2所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏或精馏是在真空状态下进行的。
4.根据权利要求1或2所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏或精馏是在惰性气体里进行的。
5.根据权利要求4所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述惰性气体是氩气。
6.根据权利要求4所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述惰性气体是氮气。
7.根据权利要求1所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏是分步进行的,在低于硅的沸点或高于硅的沸点或等于硅的沸点的不同温度下进行,以除去不同的杂质。
8.根据权利要求7所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏是在温度低于硅的沸点下进行蒸馏,低沸点的杂质在馏出物中,硅及高沸点的杂质留在残留物中。
9.根据权利要求8所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:将所述残留物再次蒸馏,所述蒸馏是在温度高于硅的沸点下进行蒸馏,硅蒸发后冷凝成产品,沸点高于硅的杂质留在残留物中。
10.根据权利要求1或2或7或8或9所述的降低定向凝固法硅产品杂质的方法,其特征是:所述蒸馏或精馏是多次的,通过多次蒸馏或精馏不断地提高硅的纯度。
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