[发明专利]纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810200425.1 申请日: 2008-09-25
公开(公告)号: CN101376599A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 王英;杨明来;赵保军;张亚非 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50;C03C17/22
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 纳米 粒子 有序 单层 多层 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:将经过亲水处理后的固态基片浸泡在硅烷偶联剂溶液中,然后取出,冲洗和干燥;

步骤2:将上述基片放入烘箱中进一步加热处理,取出后自然冷却,留用;

步骤3:将上述处理好的基片垂直浸渍于纳米粒子溶液中,提拉垂直放置的偶联剂修饰过的基片,将基片提拉出液面后停止,取下冲洗,干燥,获得纳米粒子有序单层薄膜;

步骤4:将所得纳米粒子单层膜重新放入硅烷偶联剂溶液中或纳米粒子溶液中,然后重复以上全部或部分步骤获得多层有序纳米粒子薄膜。

2、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤1中,所述硅烷偶联剂溶液的质量百分比浓度为0.1—10%,溶剂为水或乙醇。

3、根据权利要求1或2所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,所述硅烷偶联剂是一种带有亲水基团和烷氧基基团的硅烷类有机分子,其亲水基团是氨基或巯基基团中一种。

4、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤1中,所述浸泡,其时间为1分钟—48小时。

5、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤1中,所述固态基片主要是玻璃片、硅片、表面氧化的硅片、石英片或云母片中一种。

6、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤1中,所述的冲洗和干燥,冲洗所用试剂为水或乙醇,干燥采用气体吹干或自然晾干方法中一种,吹干基片所用气体为氮气、氩气或空气中一种。

7、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤2中,所述加热处理,其温度为60—120℃,时间为10—120分钟。

8、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤3中,所述纳米粒子溶液浓度为0.1—10mg/ml,溶剂为水、乙醇或己烷。

9、根据权利要求1或8所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤3中,所述纳米粒子的尺寸为1纳米~800纳米,所使用的纳米粒子为能分散于水、乙醇或己烷中的金属、合金、金属氧化物、硅或氧化硅的纳米粒子。

10、根据权利要求1所述的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法,其特征是,步骤3中,所述提拉,其速度为0.1—10mm/min;冲洗所用试剂为水、乙醇或己烷,干燥采用气体吹干或自然晾干方法中一种,吹干基片所用气体为氮气、氩气或空气中一种。

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