[发明专利]绝缘体上锗硅衬底的制备方法有效
| 申请号： | 200810200072.5 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101359591A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张苗;张波;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 200051*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上锗硅 衬底 制备 方法 | ||
1.一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)提供单晶硅衬底；
(b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；
(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；
(d)退火，从而形成气孔层；
(e)将氧离子注入至气孔层中；
(f)退火，从而形成绝缘埋层。
2.根据权利要求1所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：在步骤(b)实施完毕之后，继续在硅锗层远离单晶硅衬底的表面生长盖帽层，以抑制锗硅层中的锗原子向环境中扩散。
3.根据权利要求2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述盖帽层的材料为硅。
4.根据权利要求2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述盖帽层的厚度范围是2nm～20nm。
5.根据权利要求1或2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述起泡离子选自于氦离子、氢离子以及氩离子中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述起泡离子的注入剂量范围是1×1016cm-2～1×1017cm-2。
7.根据权利要求1或2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述在单晶硅衬底表面生长的锗硅层的厚度小于100nm。
8.根据权利要求1或2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中的退火温度是200℃～1000℃。
9.根据权利要求1或2所述的绝缘体上锗硅衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(e)中的退火温度是1000℃～1300℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
