[发明专利]基于SOI基板的二维光学可动平台装置及其制造方法

权利要求书

1.一种基于SOI基板的二维光学可动平台装置，其特征在于：包括4个固定极板、4个可动极板、中央光学平台、锚点、微悬臂梁，其中每一个固定极板和每一个可动极板共同组成一个静电式梳状驱动器，在装置的上下左右四个方向上对称分布四个等同的静电式梳状驱动器，四个等同的静电式梳状驱动器分别通过微悬臂梁上连接中央光学平台，微悬臂梁分别连接到四个锚点上，锚点固定、支撑整个平台装置。

2.根据权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置，其特征是，所述四个等同的静电式梳状驱动器，其中一个静电式梳状驱动器上加电压，而对侧的静电式梳状驱动器上加相反的电压时，极板间将产生相对位移，这使中央光学平台平行于位移方向移动，另外两相对的静电式梳状驱动器上加电压时能实现另一个方向的移动，整个中央光学平台实现二维方向移动。

3.一种如权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

①首先UV光刻预制掩模板，利用UV光刻与显影技术将设计好的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的结构图案迁移在SOI晶片表面；

②用深度反应离子刻蚀方法刻蚀SOI基板至SiO₂层；

③用去除溶液去除表面的光刻胶；

④利用HF蒸汽刻蚀工艺来刻蚀SiO₂层，从而释放出可移动部分；

⑤最后进行干燥。

4.如权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的制备方法，其特征是，所述SOI基板由三层组成，自上而下分别为p型导体Si结构层，SiO₂层和Si衬底。

5.如权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的制备方法，其特征是，所述用深度反应离子刻蚀方法刻蚀SOI基板至SiO2层，其刻蚀速率为1.2um/min。

如权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的制备方法，其特征是，所述利用HF蒸汽刻蚀工艺来刻蚀SiO2层，参数为：HF质量浓度为46％，温度为40℃，刻蚀速率为0.2um/min。

如权利要求1所述的基于SOI基板的二维光学可动平台装置的制备方法，其特征是，所述干燥，是指：在HF刻蚀后，该结构在120℃温度下干燥10分钟以进一步消除粘连问题。