[发明专利]具有高偏振转换特性的半导体激光器件

权利要求书

1.一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，其特征在于：出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度，该光子晶体层(9)所在平面的法线与激光谐振腔方向成一夹角θ，其中，0＜θ＜90°，沿着激光谐振腔方向的矢量在光子晶体层(9)所在平面的投影与光子晶体层(9)的晶向的夹角φ不能为零。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：该光子晶体层(9)通过一截面呈楔形或三角形的介质层设于出射端面(8)上，且光子晶体层(9)位于介质层的斜面上。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器件，其特征在于：该光子晶体层(9)为一维光栅结构或二维光栅结构。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器件，其特征在于：该一维光栅结构或二维光栅结构的周期在大于0且小于或等于10λ之间，其中λ为器件发光的峰值波长。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器件，其特征在于：该二维光栅结构包括背景材料及设于背景材料上的散射体，其中散射体的形状为圆形、三角形、正方形或长方形。

6.根据权利要求3所述的半导体激光器件，其特征在于：该半导体外延叠层的相对侧面分别设有反射层，且该出射端面(8)设于其中一反射层上。

7.根据权利要求3所述的半导体激光器件，其特征在于：该半导体外延叠层的上下端面分别设有上、下反射层(11)、(10)，且该出射端面(8)设于上反射层(11)上。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：该光子晶体层(9)包括一层或多层的光子晶体结构，且其晶格的形态为三角晶格、正方晶格、长方晶格、六角晶格或复式晶格。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：该上电极(6)与第二导电包覆层(4)之间还由下往上设有电流阻挡层(5)及加厚电极。

10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体激光器件，其特征在于：所述发光层(3)由III-V族氮化物半导体材料构成，或由AlGaAs类半导体材料构成，或由AlGaInP类半导体材料构成。