[发明专利]一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构

权利要求书

1.一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：将呈容性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以串联形式连接，或者将呈感性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以并联形式连接，组成冷阴极电子源结构；通过引入容性阻抗或感性阻抗，减少场致电子发射结构的极间电容影响，实现冷阴极电子源快速响应的交流发射性能。

2.按权利要求1所述的快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：所述的场致电子发射结构是任何一种由平行电极组成的结构，发射结构输入特性呈容性阻抗。

3.按权利要求2所述的快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：所述发射结构中的发射体类型包括尖针状发射体、薄膜型发射体、有序一维纳米材料阵列、无序一维纳米材料。

4.按权利要求1至3任一项所述的快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：所述的引入容性或感性阻抗，其器件或电路是以分立形式与场致电子发射结构连接，或者是以集成形式与场致电子发射结构形成一体化结构的连接。

5.按权利要求4所述的快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：所述的引入容性或感性阻抗，其单元等效电路的时间常数接近或等于场发射结构极间电容等效电路的时间常数。