[发明专利]含咔唑基二苯乙烯衍生物结构的新型有机发光材料的合成方法和应用有效
| 申请号: | 200810198180.3 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101343539A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | 池振国;杨志涌;张锡奇;于涛;陈美娜;许炳佳;王程程;周林;刘四委;张艺;许家瑞 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07D209/82;G01N21/66;H05B33/14 |
| 代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 周端仪 |
| 地址: | 510275广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 含咔唑基二 苯乙烯 衍生物 结构 新型 有机 发光 材料 合成 方法 应用 | ||
1.一种含咔唑基二苯乙烯衍生物的有机发光材料的合成方法,其特征在于:先将结构如通式(2)的中间体和卤代单膦酸酯叶立德试剂反应,转变成结构如通式(3)的中间体;结构如通式(3)的中间体再和二硼酸或有机锡化合物进行偶联反应而成,或者结构如通式(3)的中间体和对乙烯基苯硼酸以及对甲酰基苯硼酸反应,转变成结构如通式(4)的中间体,再利用Heck反应或Wittig反应合成结构如通式(1)的目标产物;
其中R1,R2,R3,R4选自H、C1~8烷基,C1~4烷氧基,咔唑基,苯基、叔丁基苯或萘基;X为卤素基团;Ar选自:
2.根据权利要求1所述的有机发光材料的合成方法,其特征在于:R1,R2,R3,R4为H,叔丁基,苯基,叔丁基苯或咔唑基。
3.根据权利要求1所述的有机发光材料的合成方法,其特征在于:R1,R2,R3,R4为H,叔丁基,苯基,叔丁基苯或咔唑基。
4.根据权利要求1所述的发光材料的合成方法,其特征是:结构如通式(2)的中间体,是由4,4’-二氟二苯酮与取代基咔唑反应得到,取代基选自H、C1~8烷基,C1~4烷氧基,咔唑基,苯基、叔丁基苯或萘基。
5.根据权利要求1所述的发光材料的合成方法,其特征是:结构如通式(1)的发光材料中Ar基团的引入是先利用结构如通式(3)的溴代中间体和对乙烯基苯硼酸、对甲酰基苯硼酸进行Suzuki反应,分别引入乙烯基和醛基,转变成结构如通式(4)的中间体,再利用Heck反应或Wittig反应合成。
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