[发明专利]减少集成电路角部剥落的结构

权利要求书

1.一种破裂防止结构，布置在划片槽之间的多个半导体管芯，其中， 划片槽包括至少一个破裂防止结构，该破裂防止结构包括：

半导体衬底；

布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层；

以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多 个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇； 和

形成通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面的多个金属结 构和多个通孔结构。

2.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，第一材料包括低-K电介 质材料。

3.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，第一材料包括超低-K、特 超低-K、XLK、或其结合的电介质材料。

4.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，多个金属结构和多个通 孔结构至少延伸通过第二多个电介质层。

5.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，多个金属结构和多个通孔 结构至少延伸通过第一多个电介质层。

6.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，多个金属结构和多个通孔 结构延伸通过所有的第一和第二多个管芯层。

7.按照权利要求1的破裂防止结构，还包括形成在覆盖第一和第二多 个电介质层的钝化层上的键合/焊盘焊点结构。

8.按照权利要求1的破裂防止结构，其中，多个通孔结构是在多个金 属结构之间，多个通孔结构互连多个金属结构。

9.一种半导体晶片，包括：

多个半导体管芯；

多个设置在邻接半导体管芯之间的划片槽；

在邻接于半导体管芯的角部的多个划片槽里形成的破裂防止结构，其 中，所述破裂防止结构包括：

半导体衬底；

布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层；

以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多 个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇； 和

形成通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面的多个金属结 构和多个通孔结构。

10.按照权利要求9的半导体晶片，还包括附加破裂防止结构，附加 破裂防止结构形成在划片槽里并且接近于半导体管芯的侧壁。

11.按照权利要求9的半导体晶片，其中，破裂防止结构至少包括连 续线、虚线、多个连续线、多个虚线、或其结合之一。

12.按照权利要求9的半导体晶片，其中，破裂防止结构至少包括L- 形、十字形、矩形、连续的矩形构形、T-形、八角形、正三角形、或其结 合之一。

13.按照权利要求9的半导体晶片，其中，破裂防止结构仅从最上面 的金属结构延伸。

14.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成多个半导体管芯；和

在划片槽里形成破裂防止结构，划片槽被处于在两个邻接的半导体管 芯里，

其中，破裂防止结构包括：

在半导体衬底上布置第一材料的第一多个电介质层；

以不同于第一材料的第二材料，在第一多个电介质层上布置第二多个 电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇； 和

通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面形成的多个金属结 构和多个通孔结构。

15.按照权利要求14的方法，其中，形成破裂防止结构包括在接近于 半导体管芯的角部形成破裂防止结构。