[发明专利]电子部件、固体电解电容器和电路基板无效
| 申请号: | 200810190840.3 | 申请日: | 2008-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN101471186A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | 太田妙子;藤田政行;梅本卓史;野野上宽 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号: | H01G9/15 | 分类号: | H01G9/15;H01G9/025;H05K1/18;H01M10/42 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 部件 固体 电解电容器 路基 | ||
1.一种固体电解电容器,其是在阳极体的表面上依次形成有电介质层、导电性高分子层、和阴极层的固体电解电容器,其特征在于:
所述导电性高分子层含有热膨胀性石墨。
2.如权利要求1所述的固体电解电容器,其特征在于:
所述热膨胀性石墨分布在形成于所述电介质层上的整个所述导电性高分子层内。
3.如权利要求1或2所述的固体电解电容器,其特征在于:
所述热膨胀性石墨开始膨胀的温度在300℃~400℃的范围内。
4.如权利要求1或2所述的固体电解电容器,其特征在于:
在温度300℃的环境下,所述热膨胀性石墨膨胀,在所述阳极体与所述阴极层之间不流动电流。
5.如权利要求1~4中任一项所述的固体电解电容器,其特征在于:
所述热膨胀性石墨相对于所述导电性高分子层的总重量的含量与膨胀度的乘积为100以上,其中,含量的单位是重量%,膨胀度的单位是cm3/g。
6.如权利要求1~5中任一项所述的固体电解电容器,其特征在于:
所述热膨胀性石墨的膨胀度为2.5cm3/g以上。
7.如权利要求1~6中任一项所述的固体电解电容器,其特征在于:
所述热膨胀性石墨的含量相对于所述导电性高分子层的总重量在5重量%~40重量%的范围内。
8.一种电路基板,其是使用焊接部件安装有权利要求1~7中任一项所述的固体电解电容器的电路基板,其特征在于:
所述热膨胀性石墨开始膨胀的温度比所述焊接部件熔融的温度高。
9.一种电子部件,其设置有高分子层,该电子部件的特征在于:
所述高分子层含有热膨胀性石墨。
10.如权利要求9所述的电子部件,其是在正极与负极之间设置有电解质层的电池,该电子部件的特征在于:
所述电解质层由含有所述热膨胀性石墨的高分子层构成。
11.如权利要求9所述的电子部件,其是在基板上配置有集成电路芯片的集成电路装置,该电子部件的特征在于:
在所述集成电路芯片与所述基板之间设置有使用所述热膨胀性石墨的所述高分子层。
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