[发明专利]负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法

权利要求书

1.负型光刻胶组合物，包括：

包含具有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固 化组合物；

包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和

有机溶剂，

其中所述碱溶性树脂包括由下式表示的化合物，其中R₁₉、R₂₀、R₂₁、 R₂₂和R₂₃独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中p、q、r、s 和t独立地表示1～99，并且p、q、r、s和t的总和为100)，

2.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述乙烯不饱和化合物包含至 少两个(甲基)丙烯酸酯基团。

3.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂具有5,000～ 50,000的重均分子量。

4.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中基于所述负型光刻胶组合物， 所述能光固化组合物与所述热固性组合物之和为5重量%～60重量%。

5.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述能光固化组合物与所述热 固性组合物的重量比为1:0.5～1:2。

6.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述热固性组合物进一步包含 热交联剂以将所述碱溶性树脂连接。

7.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述光聚合引发剂由于波长 300nm～450nm的光而产生自由基。

8.制造阵列基板的方法，该方法包括：

在基础基板上形成包括栅极线和栅电极的栅极图案；

在具有所述栅极图案的所述基础基板上形成源极图案，所述源极图案包 括数据线、源电极和与所述源电极隔开的漏电极；

通过涂覆负型光刻胶组合物在具有所述源极图案的所述基础基板上形 成有机绝缘层，所述负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯 不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性 树脂的热固性组合物、和有机溶剂；

在所述有机绝缘层上形成像素电极，所述像素电极电连接到所述漏电 极，

其中所述碱溶性树脂包括由下式表示的化合物，其中R₁₉、R₂₀、R₂₁、 R₂₂和R₂₃独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中p、q、r、s 和t独立地表示1～99，并且p、q、r、s和t的总和为100)，

9.权利要求8的方法，其中形成所述有机绝缘层包括：

将涂覆在所述基础基板上的所述负型光刻胶组合物曝光；和

将所述负型光刻胶组合物显影。

10.权利要求9的方法，其中所述光包括300nm～450nm的波长。

11.权利要求9的方法，其中形成所述有机绝缘层进一步包括在将所述 负型光刻胶组合物显影后加热所述负型光刻胶组合物。

12.权利要求11的方法，其中加热所述负型光刻胶组合物在200°C～ 300°C的温度下进行。

13.权利要求8的方法，其中所述有机绝缘层包括对应于所述漏电极的 末端的开口。

14.权利要求13的方法，进一步包括：

在所述源极图案与所述有机绝缘层之间形成钝化层；和

通过使用所述具有开口的有机绝缘层作为蚀刻掩模去除所述钝化层的 一部分以使所述源电极暴露。