[发明专利]场发射电子器件

权利要求书

1.一种场发射电子器件，其包括：

一绝缘基底；

多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多 个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线 与两个相邻的列电极引线形成一个网格，行电极引线与列电极引线之间电 绝缘；

多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射 单元进一步包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，且该阳极电极和阴 极电极分别与上述行电极引线与列电极引线电连接，以及一阴极发射体， 该阴极发射体与阴极电极电连接；

其特征在于，所述阴极发射体与阳极电极间隔设置，从一碳纳米管阵列拉 取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中包括多个首尾相连且定向排列的碳 纳米管，将该碳纳米管膜铺设覆盖于每一阴极电极与每一阳极电极，切割 碳纳米管膜，使阳极电极与阴极电极之间的碳纳米管膜断开，形成多个平 行排列的碳纳米管线固定于阴极电极上作为所述阴极发射体，所述阴极发 射体平行于阴极电极的上表面。

2.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述阴极发射体包括 两端，且一端与阴极电极电连接，另一端与阳极电极间隔设置。

3.如权利要求2所述的场发射电子器件，其特征在于，所述阴极发射体远离 阴极电极的一端指向阳极电极。

4.如权利要求2所述的场发射电子器件，其特征在于，所述阴极发射体远离 阴极电极的一端与阳极电极之间的间距大于等于1微米且小于等于1000微 米。

5.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述阴极发射体与绝 缘基底间隔设置。

6.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每个碳纳米管线 作为阴极发射体的一个电子发射体。

7.如权利要求6所述的场发射电子器件，其特征在于，所述电子发射体之间 的间距为1微米～1000微米。

8.如权利要求6所述的场发射电子器件，其特征在于，所述电子发射体包括 一电子发射端，且该电子发射端为电子发射体远离阴极电极的一端。

9.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述碳纳米管线包括 多个首尾相连的碳纳米管。

10.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述碳纳米管的长度 为10微米～100微米，直径小于15纳米。

11.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述行电极引线与列 电极引线交叉处设置有一介质绝缘层。

12.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射单 元对应网格设置成一阵列，且设置于同一行的电子发射单元的阳极电极与 同一个行电极引线电连接，设置于同一列的电子发射单元的阴极电极与同 一个列电极引线电连接。

13.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每个电子发射单 元进一步包括一固定件位于阴极电极上。