[发明专利]具有对称电路拓扑的差分放大器

权利要求书

1.一种差分放大器电路，包括：

第一输入级，所述第一输入级包括第一导电类型的晶体管对，所 述晶体管对接收差分输入信号；

第一输出级，所述第一输出级连接至所述第一输入级；

第二输入级，所述第二输入级包括不同于所述第一导电类型的第 二导电类型的晶体管对，所述晶体管对接收所述差分输入信号；

第二输出级，所述第二输出级连接至所述第二输入级；以及

输出端，

其中所述第二输出级利用下述电路拓扑来构造，在所述电路拓扑 中利用所述第二导电类型的晶体管代替所述第一输出级中的所述第一 导电类型的晶体管，利用所述第一导电类型的晶体管代替所述第一输 出级中的所述第二导电类型的晶体管，利用电源端代替所述第一输出 级中的接地端，并且用接地端代替所述第一输出级中的电源端，并且

所述第一和第二输出级的输出共同连接至所述输出端，并且

其中所述第一输入级包括具有共同连接的源极的第一和第二 NMOS晶体管，

所述第二输入级包括具有共同连接的源极的第一和第二PMOS晶 体管，

所述差分输入信号中的一个被馈送到所述第一NMOS晶体管的栅 极和所述第一PMOS晶体管的栅极，

所述差分输入信号中的另一个被馈送到所述第二NMOS晶体管的 栅极和所述第二PMOS晶体管的栅极，

所述第一输出级包括：

第三至第六NMOS晶体管；以及

第三至第六PMOS晶体管，

所述第三和第四NMOS晶体管具有连接至地的源极以及共同连接 的栅极，

所述第五NMOS晶体管具有连接至所述第三NMOS晶体管的漏极 的源极以及连接至所述第三和第四NMOS晶体管的栅极且连接至第一 节点的漏极，

所述第六NMOS晶体管具有连接至所述第四NMOS晶体管的漏极 的源极以及连接至第二节点的漏极，

第一偏置电压被馈送到所述第五和第六NMOS晶体管的栅极，

所述第三PMOS晶体管具有连接至所述第一节点的漏极以及连接 至所述第一NMOS晶体管的漏极的源极，

所述第四PMOS晶体管具有连接至所述第二节点的漏极以及连接 至所述第二NMOS晶体管的漏极的源极，

第二偏置电压被馈送到所述第三和第四PMOS晶体管的栅极，

所述第五PMOS晶体管具有连接至所述第三PMOS晶体管的源极 的漏极以及连接至电源端的源极，

所述第六PMOS晶体管具有连接至所述第四PMOS晶体管的源极 的漏极以及连接至电源端的源极，

第三偏置电压被馈送到所述第五和第六PMOS晶体管的栅极，

所述第二输出级包括：

第七至第十PMOS晶体管；以及

第七至第十NMOS晶体管，

所述第七和第八PMOS晶体管具有连接至电源端的源极以及共同 连接的栅极，

所述第九PMOS晶体管具有连接至所述第七NMOS晶体管的漏极 的源极以及连接至所述第七和第八PMOS晶体管的栅极且连接至第三 节点的漏极，

所述第十PMOS晶体管具有连接至所述第八PMOS晶体管的漏极 的源极以及连接至第四节点的漏极，

所述第二偏置电压被馈送到所述第九和第十PMOS晶体管的栅极，

所述第七NMOS晶体管具有连接至所述第三节点的漏极以及连接 至所述第一PMOS晶体管的漏极的源极，

所述第八NMOS晶体管具有连接至所述第四节点的漏极以及连接 至所述第二PMOS晶体管的漏极的源极，

所述第一偏置电压被馈送到所述第七和第八NMOS晶体管的栅 极，

所述第九NMOS晶体管具有连接至所述第七NMOS晶体管的源极 的漏极以及连接至地的源极，

所述第十NMOS晶体管具有连接至所述第八NMOS晶体管的源极 的漏极以及连接至地的源极，

第四偏置电压被馈送到所述第九和第十NMOS晶体管的栅极，并 且

所述输出端连接至所述第一输出级的所述第二节点和所述第二输 出级的所述第四节点。