[发明专利]反或型闪存的制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种闪存的制造方法，更特别的是关于一种反或(NOR)型闪存的制造方法。

背景技术

闪存是一种非易失性(non-volatile)的存储器，即在无外部电源供电时，也能够保存信息内容，这使得装置本身不需要浪费电力在数据的记忆上，再加上闪存也具备重复读写、体积小、容量高及便于携带的特性，这使得闪存特别适合使用在携带式的装置上。目前反或(NOR)型闪存应用的范围，除了个人计算机上的主机板会利用反或(NOR)型闪存储存BIOS数据外，手机、手持装置也会使用反或(NOR)型闪存来存放系统数据，藉由其高速的读取速度，满足手持装置的开机需求。

传统上的存储器结构如图1所示，包含有一半导体基底100、二栅极结构102、于该二栅极结构102上的二硅化钴层(Co-silicide)104、于该二栅极结构间底层上的一第三硅化钴层(Co-silicide)106、于该栅极两侧的间隔层(spacer)108及一位障插栓(barrier plug)110。然而随着半导体工艺技术的进步，存储器组件的工艺技术也跨入纳米时代。针对纳米等级的组件结构，在线宽缩小的趋势下，由于结构越来越小，线宽越来越细，存储器组件中的相关结构也受到了限制。如图1所示，在组件尺寸不断地微缩之下，该二栅极结构间的距离会越来越小，如此将使得该栅极两侧的间隔层108的制作及自动对准(self-aligned)变得相当困难。

因此，如何改善闪存组件以避免组件的微缩所造成的限制，并在不增加设计的复杂度下保有组件的特性即是本发明的目的所在。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反或(NOR)型闪存的制造方法，使得在存储器组件尺寸进一步缩小时，不需再于栅极结构两侧额外形成氧化层间隔层，而直接以氧化层间隔物或浅沟槽氧化层填满。且本发明能保有该存储器组件原有的特性，而不须额外复杂的工艺步骤。

为达上述目的，本发明是提供一种反或(NOR)型闪存的制造方法，其包含：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成二栅极结构；以一绝缘层间隔物填满该些栅极结构间的空隙；刻蚀该绝缘层间隔物，使其与该些栅极结构的表面平齐；于该些栅极结构表面各形成一自动对准金属硅化物层；于该些栅极结构间刻蚀一接触孔；于该接触孔形成一插塞。

为达上述目的，本发明是提供另一种反或(NOR)型闪存的制造方法，其包含：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成二栅极结构；以一浅沟槽绝缘层填满该些栅极结构间的空隙；利用一化学机械研磨工艺研磨该浅沟槽绝缘层，使其与该些栅极结构的表面平齐；于该些栅极结构表面各形成一自动对准金属硅化物层；于该些栅极结构间刻蚀一接触孔；于该接触孔形成一插塞。

藉此，本发明能避免于过小的栅极结构间距中形成氧化层间隔层，而造成工艺困难度大幅提高的问题。且亦能省去栅极结构间，形成自动对准金属硅化物层所需的自动对准(self-aligned)步骤，而避免于过小的栅极结构间距中，发生自动对准的困难。

附图说明

图1是传统上的闪存结构图。

图2到图7是显示在不同工艺步骤时，本发明实施例的反或(NOR)型闪存剖面图。

图8是以绝缘层间隔物填满的反或(NOR)型闪存工艺的流程图。

图9是以浅沟槽绝缘层填满的反或(NOR)型闪存工艺的流程图。

附图标号：

100半导体基底

102栅极结构

104硅化钴层

106第三硅化钴层

108间隔层

200半导体基底

202栅极结构

202a穿隧氧化层

202b浮动栅

202c介电层

202d控制栅

204浅掺杂漏极区

205通道

206浅掺杂源极区

302掩膜层

304源极离子注入工艺

306第一源极区

402接触孔刻蚀停止层

404絕緣层间隔物

502a自动对准金属硅化物层

502b自动对准金属硅化物层

504层间介电质层

602接触孔

604第一漏极区

702位障插栓

具体实施方式

为充分了解本发明的目的、特征及功效，兹藉由下述具体的实施例，并配合所附的图式，对本发明做一详细说明，说明于后。在这些不同的图式与实施例中，相同的组件将使用相同的符号。